公开(公告)号：CN116113291A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310275738.8

申请日：2023-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘兆 ,  徐勇 ,  陈泉桦 ,  祝如俊 ,  曹家荣 ,  刘源 ,  曹锦绣 ,  孙华斌 ,  朱力 ,  吴洁

IPC: H10K71/60 ,  H10K10/84 ,  H10K10/46 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。

公开(公告)号：CN116390500A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310275429.0

申请日：2023-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  刘源 ,  陈泉桦 ,  曹家荣 ,  刘兆 ,  曹锦绣 ,  祝如俊 ,  孙华斌 ,  于志浩 ,  吴洁 ,  朱力 ,  杨光安

IPC: H10K10/84 ,  H10K10/46 ,  H10K71/60 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明公开了一种基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方蒸镀一层镍形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方依次形成有机半导体有源层和栅介质层，然后通过蒸镀的方式在栅介质层上方形成栅电极，本发明使用镍作为源漏电极，相较于传统使用金作为源漏电极的器件，其载流子迁移率有所提升，器件的阈值电压明显降低，尤其是在空气暴露的条件下，依然能够保持稳定的电学特性，主要电学参数衰减相对采用常规金电极的器件大幅降低。本申请所提供的制备方法提升了顶栅底接触聚合物场效应晶体管的电学性能及稳定性，具有工艺简单，操作便捷，成本低，稳定性高的特点。