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公开(公告)号：CN119296068A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411833215.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
IPC: G06V20/56
Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统，属于智能视觉和类脑计算领域；视觉系统包括：基于光电突触器件的图像传感模块：利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号，并进行预处理；还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块：接收预处理后的二维电信号，利用忆阻器阵列结构，先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵，再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络，多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算，进一步提取图像特征信息，最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域，且具有增强模糊图像、识别率高等特点。
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公开(公告)号：CN119296068B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411833215.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
IPC: G06V20/56
Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统，属于智能视觉和类脑计算领域；视觉系统包括：基于光电突触器件的图像传感模块：利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号，并进行预处理；还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块：接收预处理后的二维电信号，利用忆阻器阵列结构，先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵，再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络，多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算，进一步提取图像特征信息，最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域，且具有增强模糊图像、识别率高等特点。
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公开(公告)号：CN119403434A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411932280.X
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学 , 新微比特纳米科技(苏州)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌/二硫化钼的多功能光电忆阻器及制备方法，所述忆阻器集成了非易失性存储、人工类脑突触、无线通信多种功能，包括自下而上依次设计的位于基底之上的底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述阻变功能层为氧化锌薄膜与二硫化钼薄膜构成的异质结。本发明通过利用二硫化钼抑制导电细丝过度生长的特性，降低了操作功耗，提高了电阻存储窗口以及稳定性，因此能够显著优化忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN118197227B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410620291.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 湖州深芯智能科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种有源驱动电路及Micro‑LED器件多色显示方法，属于半导体光电器件驱动技术领域。有源驱动电路包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极连接驱动电源、源极与Micro‑LED器件串联后接地；记忆存储器件与分压电阻串联后分别连接驱动电源与接地，记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro‑LED器件的发光颜色。本发明能够在非常简单的电路结构基础上，实现灵活稳定且精确的Micro‑LED多色显示控制效果。
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公开(公告)号：CN116136812A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202310150163.7
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F11/22 , G01R31/3185 , G01R31/317
Abstract: 本发明公开了一种自检测3D DFT测试架构，该架构基于IEEE1687标准，其中配置有基于IEEE 1149.1经典JTAG仪器及接口、芯片检测器、若干个待检测芯片，JTAG接口作为测试访问接口，芯片检测器包括上芯片检测器和下芯片检测器，若干个芯片共用控制信号TRST、TCK与TMS，输入及输出数据信号TDI与TDO串行连接并通过3D电路形成菊花链；通过引入自动芯片检测机制，控制3D堆叠中的JTAG路径以允许优化整体3D测试架构，使其可用于所有堆叠级别，无需配置步骤，即可大幅减少测试时间，芯片检测器的使用解决了经典3D测试架构的一些限制，特别是通过指令寄存器避免多路复用器的配置步骤；该架构中多芯片共用控制信号并串行形成菊花链，增加了芯片测试覆盖率，整体架构成本低、面积开销小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118555906B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN118197227A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410620291.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 湖州深芯智能科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种有源驱动电路及Micro‑LED器件多色显示方法，属于半导体光电器件驱动技术领域。有源驱动电路包括记忆存储器件、分压电阻和薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极连接驱动电源、源极与Micro‑LED器件串联后接地；记忆存储器件与分压电阻串联后分别连接驱动电源与接地，记忆存储器件与分压电阻的中间节点连接至薄膜晶体管的栅极；记忆存储器件与分压电阻连接的一侧引出外部管脚，用于从外界输入控制信号，以控制改变记忆存储器件的阻值，从而改变Micro‑LED器件的发光颜色。本发明能够在非常简单的电路结构基础上，实现灵活稳定且精确的Micro‑LED多色显示控制效果。
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公开(公告)号：CN118555906A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411003103.3
申请日：2024-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于Nb2C‑氧化锌忆阻器的人工突触器件及其制备方法，属于忆阻器领域；人工突触器件由下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变功能层以及顶电极层；阻变功能层为二维Nb2C层与氧化锌层构成的异质结构，阻变功能层是通过采用旋涂或喷涂工艺将二维Nb2C层覆盖在氧化锌层上制备而成；引入二维层状Nb2C与氧化锌构成异质结构，作为忆阻器的阻变功能层，利用二维层状Nb2C特有的结构特性，引导导电细丝的形成，使得忆阻器具有更加优秀的电学性能，更低的工作电压和更低的能耗以及更好的稳定性和耐久性。
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公开(公告)号：CN116402010B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310523803.4
申请日：2023-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/394 , G06F30/398 , G06F18/243
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公开(公告)号：CN116402010A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310523803.4
申请日：2023-05-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/394 , G06F30/398 , G06F18/243
Abstract: 本发明公开基于斯坦纳树算法的多实例化分块顶层布线方法，属于计算、推算或计数的技术领域。该方法对线网进行网格划分，将线网映射到网格图上；使用FLUTE构造并分解得到所有的多引脚线网的直角斯坦纳最小树，将所有多端点的连线分解为二端点的连线，通过模式布线得到初始布线结果；对每组多端点线网，基于初始布线结果，将所有关联到的多实例化分块分为重要和不重要两类，将不重要分块内部的线路拆去，使用A‑Star算法进行绕障两端点布线；分析所有重要分块的功能后进行内部布线；对所有多端点线网重复以上过程，最终得到最终的布线结果。本发明实现了在多实例化分块内部进行布线，优化超大规模集成电路设计流程，并且降低布线时间与路径冗余。
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