基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统

    公开(公告)号:CN119296068B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411833215.1

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统,属于智能视觉和类脑计算领域;视觉系统包括:基于光电突触器件的图像传感模块:利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号,并进行预处理;还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块:接收预处理后的二维电信号,利用忆阻器阵列结构,先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵,再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络,多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算,进一步提取图像特征信息,最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域,且具有增强模糊图像、识别率高等特点。

    基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统

    公开(公告)号:CN119296068A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411833215.1

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明公开基于光电突触器件和忆阻器件的感存算一体化视觉系统,属于智能视觉和类脑计算领域;视觉系统包括:基于光电突触器件的图像传感模块:利用矩阵排列光电突触器件将待测图像的二维图像信息转化为二维电信号,并进行预处理;还包括基于阵列忆阻器件的图像识别模块:接收预处理后的二维电信号,利用忆阻器阵列结构,先将二维电信号标准化得到图像特征矩阵,再将所述特征矩阵输入多层卷积神经网络,多层卷积神经网络对输入的特征矩阵进行多次矩阵运算,进一步提取图像特征信息,最终输出图像识别结果。该视觉系统可广泛应用于图像传感与识别领域,且具有增强模糊图像、识别率高等特点。

    一种RRAM的故障测试方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118098334A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410505070.6

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本发明属于集成电路领域,公开了一种RRAM的故障测试方法,对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析,得到能够检测故障模型的测试序列;使用得到的测试序列在March‑C‑,March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法;以March‑RAWR算法为核心,构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路;对RRAM存储器注入故障,并运行MBIST电路进行故障测试,记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单,额外占用面积小。

    一种基于忆阻器的图像降噪方法

    公开(公告)号:CN117495705A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311511986.4

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法,具体为:步骤1:基于忆阻器设计降噪支路;步骤2:如果图像为一维图像,则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路,若图像为二维图像,则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路;步骤3:将图像的灰度值映射为输入电流,并导入相应的降噪电路中;步骤4:将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值;步骤5:将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像,从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。

    一种基于忆阻器的图像降噪方法

    公开(公告)号:CN117495705B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311511986.4

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法,具体为:步骤1:基于忆阻器设计降噪支路;步骤2:如果图像为一维图像,则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路,若图像为二维图像,则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路;步骤3:将图像的灰度值映射为输入电流,并导入相应的降噪电路中;步骤4:将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值;步骤5:将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像,从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。

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