一种制备超薄碘化铅纳米片并转化为超薄钙钛矿纳米片的方法

    公开(公告)号:CN115896915B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202211353955.6

    申请日:2022-11-01

    Abstract: 本发明公开一种制备超薄碘化铅纳米片并将其转化为超薄钙钛矿纳米片的方法,该方法是通过将纯碘化铅粉末与超纯水按照一定比例混合均匀,在一定温度下进行加热搅拌促进其溶解,然后采用重结晶法,将一定体积的溶液滴在硅衬底上后,通过离心机减薄液滴厚度,再放置于热台结晶从而制备超薄的碘化铅纳米片;之后使用化学气相沉积法(CVD)将超薄碘化铅转变成超薄钙钛矿。本发明可以制备尺寸10~60μm,厚度2~4nm且具有单晶结构和高质量的超薄碘化铅纳米片以及同尺寸的厚度约为10nm的钙钛矿纳米片,是超薄钙钛矿的生长制备的新方法,并且该生长方法具有可控性好、重复性高、产量高、成本低等优点。

    一种制备超薄碘化铅纳米片并转化为超薄钙钛矿纳米片的方法

    公开(公告)号:CN115896915A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211353955.6

    申请日:2022-11-01

    Abstract: 本发明公开一种制备超薄碘化铅纳米片并将其转化为超薄钙钛矿纳米片的方法,该方法是通过将纯碘化铅粉末与超纯水按照一定比例混合均匀,在一定温度下进行加热搅拌促进其溶解,然后采用重结晶法,将一定体积的溶液滴在硅衬底上后,通过离心机减薄液滴厚度,再放置于热台结晶从而制备超薄的碘化铅纳米片;之后使用化学气相沉积法(CVD)将超薄碘化铅转变成超薄钙钛矿。本发明可以制备尺寸10~60μm,厚度2~4nm且具有单晶结构和高质量的超薄碘化铅纳米片以及同尺寸的厚度约为10nm的钙钛矿纳米片,是超薄钙钛矿的生长制备的新方法,并且该生长方法具有可控性好、重复性高、产量高、成本低等优点。

    一种通过全水基电子束曝光技术制备聚合物发光微纳结构的方法

    公开(公告)号:CN115826365A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211660006.2

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 本发明公开通过全水基电子束曝光技术制备聚合物发光微纳结构的方法。在等离子体处理过的衬底上,旋涂出厚度均匀的聚苯乙烯磺酸薄膜;对薄膜进行不同的电子束剂量曝光,可以实现薄膜发光强度和水溶性的调控;将电子束曝光后的薄膜在超纯水中进行一定时间的显影后,曝光区域的薄膜保留在衬底上,形成具有一定形状和高度的图案,从而实现发光微纳结构的制备。得益于电子束曝光技术的高精度和灵活可控性,本发明可以制备横向极限尺寸1μm,纵向尺寸1‑42nm的发光微纳结构,对微纳器件的尺寸与多功能集成具有一定的促进作用。此外,本发明具有成本低、可控性好、稳定性强、重复性高等优点,而且整个过程中只涉及了水这种简单环保的溶剂。

    一种冰晶剥离法制备硼基化合物纳米片的方法

    公开(公告)号:CN109911912A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910369775.9

    申请日:2019-05-06

    Inventor: 王琳 吴蓉 查晨阳

    Abstract: 本发明涉及一种冰晶剥离法制备硼基化合物纳米片的方法,属于先进化学材料技术领域。首先在容器中加入一定量的硼基化合物粉末,再加入去离子水,重复搅拌和冷冻数小时,然后将溶液超声,超声过程中保持冰和水的固液比,随后过滤,最后将硼基化合物纳米片的溶液离心,干燥。本发明所制备的硼基化合物纳米片具有尺寸大、层数可控、制备过程简单、成本低廉、环保无害等特点。该硼基化合物纳米片亦可以用作电极材料和光电器件上的二维材料。

    一种用于锂硫电池的硼炔结构催化剂及其应用

    公开(公告)号:CN118162203A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410269268.9

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 本发明属于材料制备技术领域,涉及一种用于锂硫电池的硼炔结构催化剂及其应用。首先在手套箱中称取一定量的硼烷吗啉络合物、乙烯硼酐吡啶络合物溶解在一种有机溶剂中,搅拌,形成混合物,将上述混合物加入水热釜中,在一定温度下,反应一定时间,得到硼炔材料,将上述材料组装成锂硫电池。本发明所制备的正极锂硫电池硼炔材料具有纯度高、分散均匀、制备过程简单和环保无害等特点,极大的优化了锂硫电池的电池性能,降低了生产成本,同时该正极的锂硫电池循环寿命达到500次,电池容量平均保持在约800mAh/g。

    一种二氧化钨纳米片制备及其电学器件中的应用

    公开(公告)号:CN115558907A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211222958.6

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本发明涉及化学气相沉积法生长制备二维材料,属于纳米材料的生长制备技术领域。该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源,在80sccm的载气流量,生长温度为1150‑1190℃,沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面,制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高,形状为规整的四边形,大小在24‑133μm,厚度在19.7‑123nm,制备方法简单可行具有一定的可控性和重复性,环境友好,解决了二氧化钨纳米片制备的问题。

    一种实现基于杂化铅基钙钛矿纳米片制备TEM样品的方法

    公开(公告)号:CN113484341A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110749187.5

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 本发明公开一种实现制备杂化铅基钙钛矿纳米片TEM样品的方法,通过转移基于PDMS膜的卤化铅纳米片到TEM的多种类载网支持膜,进一步实现不同类型钙钛矿纳米片的生长制备,最后通过TEM,进行结构表征,可以研究样品内部的晶相分布。本发明提供的杂化铅基钙钛矿纳米片制备TEM样品的方法具有可精准定点转移、灵活普适、无水接触、可控性好、样品损伤小、重复性好、产量高、成本低等优点,对挖掘钙钛矿材料内部晶体结构,发现新物理机制,以及推广至其它不同类型钙钛矿材料都具有着重要的科学意义和应用价值。

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