公开(公告)号：CN117156926A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311175118.3

申请日：2023-09-12

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 张军然 ,  王琳 ,  王捷宇 ,  潘杰 ,  邓一帆

IPC: H10K71/00 ,  C09K11/06 ,  H10K65/00 ,  H10K85/50 ,  H10K50/11 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了通过电学方法调控有机‑无机杂化钙钛矿(C6H5C2H4NH3)2(CH3NH3)n‑1PbnI3n+1的发光性能，属于光电信息领域。通过在钙钛矿纳米片与硅衬底之间加入一层过渡金属二硫化物MoS2或MoSe2材料，利用其良好的电学特性，可以实现利用栅压和偏压两种方法对钙钛矿的发光特性进行调控，截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于过渡金属二硫化物良好的电输运特性，利用其载流子性能易被栅压和偏压调控的优势，间接实现对钙钛矿材料发光特性的电学调控。本发明对钙钛矿材料，尤其是有机‑无机杂化的RP相钙钛矿的光电应用具有重要意义。