一种通过全水基电子束曝光技术制备聚合物发光微纳结构的方法

    公开(公告)号:CN115826365A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211660006.2

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 本发明公开通过全水基电子束曝光技术制备聚合物发光微纳结构的方法。在等离子体处理过的衬底上,旋涂出厚度均匀的聚苯乙烯磺酸薄膜;对薄膜进行不同的电子束剂量曝光,可以实现薄膜发光强度和水溶性的调控;将电子束曝光后的薄膜在超纯水中进行一定时间的显影后,曝光区域的薄膜保留在衬底上,形成具有一定形状和高度的图案,从而实现发光微纳结构的制备。得益于电子束曝光技术的高精度和灵活可控性,本发明可以制备横向极限尺寸1μm,纵向尺寸1‑42nm的发光微纳结构,对微纳器件的尺寸与多功能集成具有一定的促进作用。此外,本发明具有成本低、可控性好、稳定性强、重复性高等优点,而且整个过程中只涉及了水这种简单环保的溶剂。

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