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公开(公告)号：CN117142957B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202310889153.5
申请日：2023-07-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种利用一步溶液法制备有机‑无机杂化钙钛矿(CH3NH3)2PbI4超薄纳米片的方法，属于材料科学领域。包括：将前驱体原材料CH3NH3I和PbI2粉末加入HI溶剂中，并加入添加剂甲胺乙醇或乙醇；将溶液在一定温度下搅拌一段时间；通过施加重力限域的方式，实现超薄纳米片横向生长等步骤。本发明基于一步溶液方法，利用重力限域生长原理，可以得到厚度最低为2.1纳米的超薄(CH3NH3)2PbI4纳米片，对有机‑无机杂化钙钛矿在二维集成领域的应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116790245B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310758191.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了利用异质结构界面耦合作用在非手性有机‑无机杂化钙钛矿中实现室温强圆偏振发光(Circularly Polarized Light,CPL)特性的方法，包括：通过机械剥离方法分别获得手性钙钛矿、非手性钙钛矿A和非手性钙钛矿B纳米片；利用干法转移技术将以上三者搭建异质结构，其堆叠顺序为非手性钙钛矿A/非手性钙钛矿B/手性钙钛矿/衬底；将异质结构在60‑90℃温度下退火3‑10分钟等步骤。本发明基于三层纳米片的阶梯状能带结构，利用界面高效自旋极化载流子传输，在非手性钙钛矿A中可以实现室温较强的圆偏振发光特性，室温偏振度可达28.5％，对基于钙钛矿材料圆偏振光特性的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117156926A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311175118.3
申请日：2023-09-12
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了通过电学方法调控有机‑无机杂化钙钛矿(C6H5C2H4NH3)2(CH3NH3)n‑1PbnI3n+1的发光性能，属于光电信息领域。通过在钙钛矿纳米片与硅衬底之间加入一层过渡金属二硫化物MoS2或MoSe2材料，利用其良好的电学特性，可以实现利用栅压和偏压两种方法对钙钛矿的发光特性进行调控，截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于过渡金属二硫化物良好的电输运特性，利用其载流子性能易被栅压和偏压调控的优势，间接实现对钙钛矿材料发光特性的电学调控。本发明对钙钛矿材料，尤其是有机‑无机杂化的RP相钙钛矿的光电应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117142957A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310889153.5
申请日：2023-07-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种利用一步溶液法制备有机‑无机杂化钙钛矿(CH3NH3)2PbI4超薄纳米片的方法，属于材料科学领域。包括：将前驱体原材料CH3NH3I和PbI2粉末加入HI溶剂中，并加入添加剂甲胺乙醇或乙醇；将溶液在一定温度下搅拌一段时间；通过施加重力限域的方式，实现超薄纳米片横向生长等步骤。本发明基于一步溶液方法，利用重力限域生长原理，可以得到厚度最低为2.1纳米的超薄(CH3NH3)2PbI4纳米片，对有机‑无机杂化钙钛矿在二维集成领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116790245A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310758191.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了利用异质结构界面耦合作用在非手性有机‑无机杂化钙钛矿中实现室温强圆偏振发光(Circularly Polarized Light,CPL)特性的方法，包括：通过机械剥离方法分别获得手性钙钛矿、非手性钙钛矿A和非手性钙钛矿B纳米片；利用干法转移技术将以上三者搭建异质结构，其堆叠顺序为非手性钙钛矿A/非手性钙钛矿B/手性钙钛矿/衬底；将异质结构在60‑90℃温度下退火3‑10分钟等步骤。本发明基于三层纳米片的阶梯状能带结构，利用界面高效自旋极化载流子传输，在非手性钙钛矿A中可以实现室温较强的圆偏振发光特性，室温偏振度可达28.5％，对基于钙钛矿材料圆偏振光特性的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119997651A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510193090.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法，通过栅压调控新型二维材料NbOI2晶体管实现优异的X射线探测性能的方法，属于光电信息领域。基于二维半导体NbOI2纳米片制备晶体管器件，利用其重原子对X射线优异的吸收特性，通过对晶体管施加栅压，实现优异的X射线探测性能。截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于栅极电压对二维半导体NbOI2纳米片载流子的高效调控特性，实现对X射线产生载流子数量的有效放大，进而增强晶体管对X射线的响应，提高X射线探测器的灵敏度。本发明对二维高集成X射线探测器，尤其是高灵敏X射线探测器的应用具有重要意义。
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