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公开(公告)号:CN117142957B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202310889153.5
申请日:2023-07-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种利用一步溶液法制备有机‑无机杂化钙钛矿(CH3NH3)2PbI4超薄纳米片的方法,属于材料科学领域。包括:将前驱体原材料CH3NH3I和PbI2粉末加入HI溶剂中,并加入添加剂甲胺乙醇或乙醇;将溶液在一定温度下搅拌一段时间;通过施加重力限域的方式,实现超薄纳米片横向生长等步骤。本发明基于一步溶液方法,利用重力限域生长原理,可以得到厚度最低为2.1纳米的超薄(CH3NH3)2PbI4纳米片,对有机‑无机杂化钙钛矿在二维集成领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号:CN117156926A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311175118.3
申请日:2023-09-12
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了通过电学方法调控有机‑无机杂化钙钛矿(C6H5C2H4NH3)2(CH3NH3)n‑1PbnI3n+1的发光性能,属于光电信息领域。通过在钙钛矿纳米片与硅衬底之间加入一层过渡金属二硫化物MoS2或MoSe2材料,利用其良好的电学特性,可以实现利用栅压和偏压两种方法对钙钛矿的发光特性进行调控,截止目前,该技术还没有被报道过,本发明是首次实现该技术。本发明主要基于过渡金属二硫化物良好的电输运特性,利用其载流子性能易被栅压和偏压调控的优势,间接实现对钙钛矿材料发光特性的电学调控。本发明对钙钛矿材料,尤其是有机‑无机杂化的RP相钙钛矿的光电应用具有重要意义。
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公开(公告)号:CN117142957A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310889153.5
申请日:2023-07-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种利用一步溶液法制备有机‑无机杂化钙钛矿(CH3NH3)2PbI4超薄纳米片的方法,属于材料科学领域。包括:将前驱体原材料CH3NH3I和PbI2粉末加入HI溶剂中,并加入添加剂甲胺乙醇或乙醇;将溶液在一定温度下搅拌一段时间;通过施加重力限域的方式,实现超薄纳米片横向生长等步骤。本发明基于一步溶液方法,利用重力限域生长原理,可以得到厚度最低为2.1纳米的超薄(CH3NH3)2PbI4纳米片,对有机‑无机杂化钙钛矿在二维集成领域的应用具有重要意义。
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