公开(公告)号：CN115558907A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211222958.6

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 马惠芳 ,  朱超 ,  蒋然 ,  王琳

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C28/00 ,  H01L29/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及化学气相沉积法生长制备二维材料，属于纳米材料的生长制备技术领域。该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源，在80sccm的载气流量，生长温度为1150‑1190℃，沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面，制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高，形状为规整的四边形，大小在24‑133μm，厚度在19.7‑123nm，制备方法简单可行具有一定的可控性和重复性，环境友好，解决了二氧化钨纳米片制备的问题。

公开(公告)号：CN115558907B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211222958.6

申请日：2022-10-08

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 马惠芳 ,  朱超 ,  蒋然 ,  王琳

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C28/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/772 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及化学气相沉积法生长制备二维材料，属于纳米材料的生长制备技术领域。该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源，在80sccm的载气流量，生长温度为1150‑1190℃，沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面，制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高，形状为规整的四边形，大小在24‑133μm，厚度在19.7‑123nm，制备方法简单可行具有一定的可控性和重复性，环境友好，解决了二氧化钨纳米片制备的问题。