公开(公告)号：CN115221820A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210847462.1

申请日：2022-07-19

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王轶卿 ,  吴斐 ,  汪洵 ,  张炜 ,  丁松

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明涉及一种双栅ISFET模型的仿真方法。步骤如下：1：获取待仿真双栅离子敏感场效应晶体管(ISFET)器件的结构参数；2：根据电解质的物理化学特性，利用TCAD工具重定义电解质的材料参数；3：构建网格化的双栅ISFET模型；4：设置掺杂、界面状态、接触类型等；5：获取I‑V特性和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析；6：根据分析结果，选择不同的材料和尺寸再次进行模拟；7：对比不同结构参数的仿真结果，获取性能优良的双栅ISFET器件。本发明提供的仿真方法可优化器件的结构和材料参数，进一步提高双栅ISFET器件的pH灵敏度，从而节约器件的研发成本，为双栅ISFET器件的研制提供一定的指导。

公开(公告)号：CN118605514A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410645692.9

申请日：2024-05-23

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 欧阳慧珉 ,  张炜 ,  缪小冬 ,  黄熠捷 ,  杨梦成 ,  朱凯 ,  孙振兴

IPC: G05D1/43 ,  G05D109/10

Abstract: 本发明公开了一种基于改进人工势场算法的机器人避障方法及系统，涉及一种基于改进人工势场算法的机器人避障方法及系统，包括，明确初始信息，包括地图信息，目标、机器人的位置和速度信息；设计人工势场引力函数，根据目标的位置和速度，对目标进行动态跟踪；设计人工势场斥力函数，根据机器人的速度方向，对斥力方向进行旋转；根据障碍物的威胁程度进行判断，设计子目标点，对障碍物进行避让，避免陷入局部最小值；输出路径；有效解决因合力为零而陷入局部最小值的问题，并预测机器人的未来轨迹，判断障碍物对机器人的威胁程度，设计子目标点，增加额外的引力，加速机器人绕开障碍物，避免出现机器人穿越障碍物的情况。

公开(公告)号：CN119555777A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411747087.9

申请日：2024-12-02

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王轶卿 ,  姜继东 ,  张炜 ,  张明辉 ,  朱兴龙 ,  王婷 ,  丁松 ,  刘涛 ,  倪坤

IPC: G01N27/414 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于生物传感以及微电子技术领域，涉及用于凝血酶即时检测的扩展栅场效应晶体管的制备方法及应用。通过普鲁士蓝/铂纳米颗粒复合材料修饰扩展栅场效应晶体管，极大提升了该场效应管的电化学传感性能，基于该复合材料制备的扩展栅场效应晶体管表现出优异的抗干扰能力与识别能力。该扩展栅场效应晶体管具有成本低和易于更换等优势，制备过程简易可控，易于实现规模化、产品化生产，基于普鲁士蓝/铂纳米颗粒的扩展栅场效应晶体管能够实现凝血酶的快速识别和即时检测，填补了目前市面上凝血酶检测产品的空白，极大提升了凝血指标的检测效率。

公开(公告)号：CN117574830A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311251466.4

申请日：2023-09-26

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王轶卿 ,  汪洵 ,  张炜 ,  姜继东 ,  朱兴龙 ,  丁松

IPC: G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法，包括以下步骤：获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数；根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型；根据电解液的物化特性，通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料；对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等；设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析。基于该方法，提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应电压传导理论的方法，为EG‑ISFET器件的研制提供理论指导。

公开(公告)号：CN117574830B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202311251466.4

申请日：2023-09-26

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王轶卿 ,  汪洵 ,  张炜 ,  姜继东 ,  朱兴龙 ,  丁松

IPC: G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法，包括以下步骤：获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数；根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型；根据电解液的物化特性，通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料；对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等；设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析。基于该方法，提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应电压传导理论的方法，为EG‑ISFET器件的研制提供理论指导。

公开(公告)号：CN214425280U

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202022900943.3

申请日：2020-12-07

Applicant: 中国能源建设集团江苏省电力设计院有限公司 ,  南京工业大学

Inventor： 汤鹏 ,  杨明 ,  陶青松 ,  赵新宇 ,  庄海洋 ,  余亮 ,  吴勇 ,  张炜 ,  房庆

IPC: F16L3/10 ,  F16L55/035

Abstract: 本实用新型公开了一种管道U型抗震支架，包括：管道支架，所述管道支架包括支撑横梁和安装于支撑横梁上的抗震架；所述抗震架包括环箍和U型槽钢；所述环箍的两端与U型槽钢的一端连接，所述U型槽钢的另一端与支撑横梁连接；所述环箍内部为管槽，所述环箍内壁设有内置橡胶垫；本实用新型设置的带U型槽钢的安装支座通过槽钢在水平和竖向两个方向上的大变形，保证管道与横梁之间能够产生一定的相对位移，可以有效地耗散一些地震能量，进而减轻管道在地震中产生严重的地震破坏或跌落，提高管道的安全性。