一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法

    公开(公告)号:CN117574830A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311251466.4

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法,包括以下步骤:获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数;根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型;根据电解液的物化特性,通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料;对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等;设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线,并对仿真结果进行分析。基于该方法,提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应电压传导理论的方法,为EG‑ISFET器件的研制提供理论指导。

    凝血酶即时检测的扩展栅场效应晶体管制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119555777A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411747087.9

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明属于生物传感以及微电子技术领域,涉及用于凝血酶即时检测的扩展栅场效应晶体管的制备方法及应用。通过普鲁士蓝/铂纳米颗粒复合材料修饰扩展栅场效应晶体管,极大提升了该场效应管的电化学传感性能,基于该复合材料制备的扩展栅场效应晶体管表现出优异的抗干扰能力与识别能力。该扩展栅场效应晶体管具有成本低和易于更换等优势,制备过程简易可控,易于实现规模化、产品化生产,基于普鲁士蓝/铂纳米颗粒的扩展栅场效应晶体管能够实现凝血酶的快速识别和即时检测,填补了目前市面上凝血酶检测产品的空白,极大提升了凝血指标的检测效率。

    一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法

    公开(公告)号:CN117574830B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202311251466.4

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法,包括以下步骤:获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数;根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型;根据电解液的物化特性,通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料;对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等;设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线,并对仿真结果进行分析。基于该方法,提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应电压传导理论的方法,为EG‑ISFET器件的研制提供理论指导。

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