一种基于像素级ADC架构的数字像素阵列传感器及其概率化图像采集方法

    公开(公告)号:CN119383487A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411491448.8

    申请日:2024-10-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于像素级ADC架构的数字像素阵列传感器及其概率化图像采集方法,该传感器包括数字像素阵列,数字像素阵列的每个像素单元包含模数转换器,所述模数转换器内置有比较器和锁存器,比较器用于比较像素单元积分电容上的电压与预设的参考电压,锁存器用于锁存比较器的比较结果;该方法为基于概率化采样方法确定一个长度为N的参考电压序列;基于参考电压序列,利用数字像素阵列传感器进行图像采集,获得N张二值图像;基于二值化图像进行灰度图像的重建。本发明通过调整参考电压的分布,可以选择性地对场景中不同的亮暗区域进行更精细的模拟数字转换。

    基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及实现方法

    公开(公告)号:CN111709521B

    公开(公告)日:2021-07-09

    申请号:CN202010596185.2

    申请日:2020-06-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于可调同质结场效应器件的人工突触电路及该电路功能的实现方法,所述电路包括第一可调同质结场效应器件M1、第二可调同质结场效应器件M2、第三可调同质结场效应器件M3以及电容元件C,其中,可调同质结场效应器件在栅极电压的调控下可以表现出NN结,PP结,PN结和NP结所具有的电学特性,电路中器件M2和器件M3的导通状态由仿突触前脉冲和仿突触后脉冲的共同作用决定;相比于传统MOS电路方案展示脉冲时间依赖可塑性和脉冲对突触权重连续调节的神经突触功能的电路结构,本方案中的电路所需的器件数目得到极大地减少,并且表现出了可重构功能的特点,在构建面向未来神经形态应用的低功耗高密度集成仿生芯片方面展现出很大的优势。

    一种面向多种新原理器件阵列的阵列测试装置

    公开(公告)号:CN119322245A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202411466433.6

    申请日:2024-10-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向多种新原理器件阵列的阵列测试装置,包括阵列测试主板、半导体参数分析仪、上位机,阵列测试主板包括微控制器、多块矩阵开关板卡,矩阵开关板卡包括移位寄存器、继电器组阵列,其中继电器组的公共端与待测阵列连接,接点端为与半导体参数分析仪连接的SMU端、无电学连接的Float端、连接外部源表的Vref端和GND端;微控制器接收上位机通信指令,向各矩阵开关板卡上的移位寄存器串行发送控制信号,移位寄存器再向所在矩阵开关板卡上继电器组的控制端口并行输出控制信号,通过继电器组的开关切换实现半导体参数分析仪对待测阵列上的器件进行测试。本发明所述装置具有可扩展性,能够对多种类新原理器件阵列高效测量,同时降低了各类噪声对待测信号的影响以及串扰影响,提高了测试精度。

    硅硫电池预锂化方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110444734B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201910559545.9

    申请日:2019-06-26

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种硅硫电池预锂化方法,包括以下步骤:S1、提供一复合有锂源的正极,一负极以及电解质;S2、将所述正极和负极置于电解质中,通过充电的方式使锂源中的Li+嵌入到负极中。本发明还提供了由上述方法制备的硅硫电池。本发明的硅硫电池预锂化方法,能够有效地提升了硅硫电池的循环稳定性、库伦效率和安全性。

    耐高温金属-有机框架材料涂层的电池隔膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109461873A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811159850.0

    申请日:2018-09-30

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了耐高温金属-有机框架材料涂层的电池隔膜及其制备方法和应用,所述电池隔膜以商业隔膜为基底,单面或双面涂覆金属-有机框架材料。与现有技术相比,本发明具有以下优点:所述金属-有机框架材料涂层孔隙率高、比表面积大,可改善隔膜的电解液浸润性;金属有机框架材料涂层可有效改善隔膜的耐热性能,提高电池在高温环境中的安全性能;所述金属-有机框架材料涂层可有效控制电解液离子的穿梭,提高离子迁移数,抑制不良副反应的发生,提高电池容量,延长循环寿命;均匀的孔道结构使锂离子均匀地沉积/剥离,从根本上抑制锂枝晶的生长;具有良好的柔韧性和机械性能,可用于组装实用化的软包电池。

    一种超低操作电压的浮栅存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN120035181A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510203122.9

    申请日:2025-02-24

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种超低操作电压的浮栅存储器及其制备方法,包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧上的浮栅层、隧穿绝缘层和沟道层,还包括设置在所述沟道层上的源电极和漏电极,所述源电极与沟道层一侧接触形成电连接,所述漏电极与沟道层另一侧接触形成电连接,所述源电极与隧穿绝缘层的接触面积大于漏电极与隧穿绝缘层的接触面积。本发明基于二维半导体材料在厚度极薄的情况下仍能保存良好的介电性能的性质,通过源漏两端的不对称设计,可以大幅度降低闪存的操作电压,使得满足标准供电电压的要求,大大降低集成的难度以及复杂度。

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