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发明公开
一种超低操作电压的浮栅存储器及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN120035181A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510203122.9

申请日：2025-02-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 缪峰 , 梁世军 , 王鹏飞 , 黄尹智 , 单俊杰

IPC: H10D30/68 , H10D64/68 , H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种超低操作电压的浮栅存储器及其制备方法，包括衬底层和依次设置在所述衬底层一侧上的浮栅层、隧穿绝缘层和沟道层，还包括设置在所述沟道层上的源电极和漏电极，所述源电极与沟道层一侧接触形成电连接，所述漏电极与沟道层另一侧接触形成电连接，所述源电极与隧穿绝缘层的接触面积大于漏电极与隧穿绝缘层的接触面积。本发明基于二维半导体材料在厚度极薄的情况下仍能保存良好的介电性能的性质，通过源漏两端的不对称设计，可以大幅度降低闪存的操作电压，使得满足标准供电电压的要求，大大降低集成的难度以及复杂度。

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