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公开(公告)号：CN106384763A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610932149.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y40/00 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明属于LED材料的技术领域，公开了非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法。所述非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本发明生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN104952992A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510217281.0
申请日：2015-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种弧形三棱锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形三棱锥组成；所述弧形三棱锥组成的任意水平截面为三条边皆为圆弧的类三角形。本发明还公开了包含上述弧形三棱锥图形化LED衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比，具有更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；弧形三棱锥型图形衬底能够在保持提高LED出光效率的前提下，减少对形核的不利影响。
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公开(公告)号：CN104393134A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410709651.8
申请日：2014-11-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种花瓣型类圆锥图案的LED图形优化衬底,衬底图案由排列在衬底表面的多个形状相同的花瓣型类圆锥体组成；所述花瓣型类圆锥体的任意水平截面为花瓣状的图形；所述花瓣状的图形为由多个形状相同的圆弧首尾顺次相接形成封闭的图形。本发明还公开了包含上述LED图形优化衬的LED芯片。本发明底增加了折射反射面，提高了光强和出光效率。
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公开(公告)号：CN102682179B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210169936.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种图形化衬底的LED芯片模型的设计方法，利用Solidworks软件实现LED芯片模型的建立，利用TracePro软件实现LED芯片模型光线追踪，通过分析数据，优化图案参数，获得最佳的LED芯片模型。本发明能够直观明了地通过软件模拟得到LED各面的光通量，避开繁琐的物理数学分析，支持参数的微小调整，能系统研究各种图案的各种参数对LED出光效率的影响，无需成品以检测性能，实现零成本优化，并可根据需要模拟各种材料制备的LED的出光效率，为寻找更佳LED外延结构或衬底材料提供新的思路。
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公开(公告)号：CN103545411A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310530075.6
申请日：2013-10-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种具有主副双图案的LED图形化衬底，衬底上的图案由排列在衬底表面的主图案和副图案组成；所述副图案的体积小于主图案的体积；所述副图案排布在主图案的间隙中。本发明还公开了包括上述具有主副双图案的LED图形化衬底的LED芯片。本发明与普通LED图形化衬底相比，其衬底上的图案更加密集，有利于更多的光线射出LED芯片，尤其有利于更多的光线从芯片顶部射出，大大提高了LED的光提取率，为图形化衬底技术提供了新的研究与应用方向。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119992535A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411966293.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06V20/68 , G06V10/24 , G06V10/25 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/52 , G06V10/80 , G06V10/12 , G06T7/70 , G06T7/73 , G06F16/28 , G06F17/18 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/096
Abstract: 本发明公开了一种基于视觉的金耳智能定位与成熟度估计方法，包括：获取金耳的实时图像；所述实时图像输入比例关系模型获得矫正后图像；所述矫正后图像输入金耳定位检测模型，输出像素级掩膜及初始的生长周期分类；所述矫正后图像及金耳定位检测模型的输出结果，输入金耳高度与直径计算模型，得到金耳的高度、直径、定位及形态，然后与金耳生长特征数据库进行比较得到金耳所处生长周期。本发明通过双摄像头系统和深度学习模型，实现对金耳生长状态的实时监测和成熟度判断，避免了传统依赖人工判断的方式。
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公开(公告)号：CN106371160B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610956434.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双椭球组合透镜，呈左右对称结构，左边结构与右边的结构均由椭球切割而成；左边结构所对应的左椭球的长轴与右边的结构对应的右椭球的长轴相交，夹角为80°～100°；左椭球的圆心与右椭球圆心距离为0.4mm～0.6mm；双椭球组合透镜的底面位于左椭球的圆心与右椭球圆心所在的水平面上。本发明还公开了包含双椭球组合透镜的具有一次光学的封装结构。相比于传统一次光学透镜，它的尺寸更小，延续了芯片尺寸封装自身的优势，对于均匀度的提升更高，反射层的设计有利于元件保持高的光效，为芯片尺寸封装一次光学设计提供了新的研究与应用方向。
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公开(公告)号：CN104409596B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410712782.1
申请日：2014-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种塔状图案的图形化LED衬底，衬底图案由排列在衬底表面的多个形状相同的塔状图案组成；所述塔状图案为由m个带内凹的圆台和一个圆锥组成的一体结构；所述m个带内凹的圆台按由大到小的顺序由下至上依次排列；第i带内凹的圆台的顶部设有第i圆柱状的内凹；令第i带内凹的圆台所对应的圆台为第i圆台；令第i圆柱状的内凹所对应的圆柱为第i圆柱；则第i圆台的上底面即为第i圆柱的上底面；第i圆柱的下底面即为第i+1圆台的下底面；第m圆柱的下底面即为圆锥的底面；第i圆柱的高度hi.>0。本发明增加了折射反射面，光强和出光效率与相同尺寸的普通圆锥型图形化衬底相比均有不同程度的提高，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104078542A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410284314.9
申请日：2014-06-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/24
CPC classification number: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种双图案的LED图形化衬底，衬底上的图案由半球图案和圆锥图案组成，所述半球图案的底面圆半径r1与圆锥的底面圆半径r2不相等。本发明还公开了包含上述双图案的LED图形化衬底的LED芯片。本发明结合圆锥图案锥面及半球图案球面对LED出光效率的优化作用提高LED出光效率；衬底上的图案密集，有利于更多的光线射出LED芯片，尤其有利于更多的光线从芯片顶部及底部射出，大大提高了LED光提取率。
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