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公开(公告)号：CN104952992A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510217281.0
申请日：2015-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种弧形三棱锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形三棱锥组成；所述弧形三棱锥组成的任意水平截面为三条边皆为圆弧的类三角形。本发明还公开了包含上述弧形三棱锥图形化LED衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比，具有更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；弧形三棱锥型图形衬底能够在保持提高LED出光效率的前提下，减少对形核的不利影响。
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公开(公告)号：CN114329658A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111290207.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06T17/00 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了含界面结构复合材料界面相的力学性能三维仿真评估方法，具体涉及复合材料力学性能测试领域。本发明通过建立了含有不同三维几何结构特征界面相结构的复合材料模型；在模拟软件ABAQUS中，通过准静态力学法采用显示分析步计算三维裂纹仿真从而解决收敛难度较大的问题；施加载荷后，获得模型的界面相的SDEG云图与损伤参数SDEG值并通过平均化处理，进一步原位定量分析具有不同三维几何特征的界面相在复合材料中力学性能的表现；本发明从模拟的角度，考虑到了界面相结构的三维几何特征影响，采用SDEG值原位定量分析界面相力学性能，对具有界面相结构的复合材料的优化设计有着重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN114329658B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111290207.3
申请日：2021-11-02
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06T17/00 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了含界面结构复合材料界面相的力学性能三维仿真评估方法，具体涉及复合材料力学性能测试领域。本发明通过建立了含有不同三维几何结构特征界面相结构的复合材料模型；在模拟软件ABAQUS中，通过准静态力学法采用显示分析步计算三维裂纹仿真从而解决收敛难度较大的问题；施加载荷后，获得模型的界面相的SDEG云图与损伤参数SDEG值并通过平均化处理，进一步原位定量分析具有不同三维几何特征的界面相在复合材料中力学性能的表现；本发明从模拟的角度，考虑到了界面相结构的三维几何特征影响，采用SDEG值原位定量分析界面相力学性能，对具有界面相结构的复合材料的优化设计有着重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN110598255A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910749267.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积速率预测方法，具体涉及化学工艺研究领域，具体预测方法如下：建立有限元反应器模型；建立能量守恒方程；建立质量守恒和动量守恒方程；建立多组分扩散方程；建立气相反应模型；极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质；建立表面反应模型；沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性；建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型；根据实验结果确定粘附系数。本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟技术，将大大降低模型参数对人为经验的依赖，通过少量实验即可准确确定重要中间相和粘滞系数，达到预测结果准确性高、可靠性强的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110598255B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910749267.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积速率预测方法，具体涉及化学工艺研究领域，具体预测方法如下：建立有限元反应器模型；建立能量守恒方程；建立质量守恒和动量守恒方程；建立多组分扩散方程；建立气相反应模型；极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质；建立表面反应模型；沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性；建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型；根据实验结果确定粘附系数。本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟技术，将大大降低模型参数对人为经验的依赖，通过少量实验即可准确确定重要中间相和粘滞系数，达到预测结果准确性高、可靠性强的技术效果。
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公开(公告)号：CN105140104A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510468527.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02461 , H01L21/02499 , H01L21/02546 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1-xP缓冲层，0.57
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公开(公告)号：CN104810443A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510217128.8
申请日：2015-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成；所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星；所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本发明还公开了包括弧形六角星锥图形化LED衬底。本发明大大提高了LED的出光效率，从而提高LED的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104809272A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510142039.1
申请日：2015-03-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片光提取率的预测方法，包括以下步骤：(1)采用计算机3D建模软件的建模功能构建封装基板模型；(2)采用计算机3D建模软件构建封装树脂模型；(3)采用TracePro软件导入LED封装模型及芯片模型，组成完整的LED封装模型；(4)构建靶面：采用TracePro软件自带的建模功能制作六个矩形靶面；(5)用TracePro中的BSDF函数中ABg模型功能设置光学参数；(6)利用TracePro软件的扫光系统收集记录数据；(7)预测光提取率。本发明在保证与实际情况相符合的前提下，缩短了建模过程和计算时间以提高效率，实现零成本优化。
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