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公开(公告)号:CN103035801A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210545521.6
申请日:2012-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种LED图形优化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥组成,每个圆锥的倾角α为55°~65°;相邻圆锥的边距d为0.4~0.6μm。本发明还公开了包括上述LED图形优化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,圆锥图形是目前工厂大规模LED芯片生产应用最广泛的图形之一,实际加工容易获得目标图案,便于推广应用。
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公开(公告)号:CN103035792A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210546102.4
申请日:2012-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种优化的LED芯片图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正六棱锥组成,正六棱锥的倾角α为55°~60°;相邻正六棱锥的边距d为1.0~1.2μm。本发明与现有技术相比,具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率,大大增加了可利用的有效光线,提高LED芯片的外量子效率;正六棱锥图形符合GaN的晶格结构,有助于外延生长高质量GaN晶体,进一步改善了磊晶质量,从而提高了LED的内量子效率。
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公开(公告)号:CN103545412A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310530095.3
申请日:2013-10-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种具有混合图案的LED图形优化衬底,衬底的图案由两种以上图案混合排列而成;同一种图案的尺寸、形状相同;所述图案可采用排列矩形方式或者采用六角排列方式。本发明还公开了包括上述具有混合图案的LED图形优化衬底的LED芯片。本发明通过采用具有混合图案的LED图形优化衬底,提高了LED芯片的光通量,得到更加高效的LED芯片。
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公开(公告)号:CN103545411A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310530075.6
申请日:2013-10-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种具有主副双图案的LED图形化衬底,衬底上的图案由排列在衬底表面的主图案和副图案组成;所述副图案的体积小于主图案的体积;所述副图案排布在主图案的间隙中。本发明还公开了包括上述具有主副双图案的LED图形化衬底的LED芯片。本发明与普通LED图形化衬底相比,其衬底上的图案更加密集,有利于更多的光线射出LED芯片,尤其有利于更多的光线从芯片顶部射出,大大提高了LED的光提取率,为图形化衬底技术提供了新的研究与应用方向。
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公开(公告)号:CN103489992B
公开(公告)日:2017-01-25
申请号:CN201310459424.X
申请日:2013-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成;所述穹顶型图案为轴对称的椎体,椎体的底面为半径为0.8~1.2μm的圆形,椎体的高为1.3~1.6μm;椎体沿对称轴的截面为由两段对称的圆弧及一段直线段组成的类三角形;所述圆弧对应的圆心角为5°~15°。本发明还公开了包括上述图形化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有更优的出光效率,提高LED芯片的外量子效率,有效地抑制螺型位错的产生,进一步改善了磊晶质量,从而提高了LED的内量子效率。
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公开(公告)号:CN103489992A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310459424.X
申请日:2013-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成;所述穹顶型图案为轴对称的椎体,椎体的底面为半径为0.8~1.2μm的圆形,椎体的高为1.3~1.6μm;椎体沿对称轴的截面为由两段对称的圆弧及一段直线段组成的类三角形;所述圆弧对应的圆心角为5°~15°。本发明还公开了包括上述图形化衬底的LED芯片。本发明与现有技术相比,具有更优的出光效率,提高LED芯片的外量子效率,有效地抑制螺型位错的产生,进一步改善了磊晶质量,从而提高了LED的内量子效率。
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公开(公告)号:CN103441201A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201310315053.8
申请日:2013-07-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种优化的LED图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的火山口图案组成;火山口图案为中心具有倒圆台凹坑的凸圆台图案;倒圆台凹坑的倾角α为30°~38°;倒圆台凹坑的深度h为对应倒圆锥图案深度H的85%~94%;倒圆台凹坑的宽度a为凸圆台上表面宽度A的93%~95%。本发明与现有技术相比,充分利用了圆台上表面的平面区域,增加有效光散射的斜面面积,具有比同高度、同底部宽度的其他图案图形化衬底更优的光提取效率。
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公开(公告)号:CN203883037U
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201320682262.1
申请日:2013-10-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
Abstract: 本实用新型公开了一种具有主副双图案的LED图形化衬底,衬底上的图案由排列在衬底表面的主图案和副图案组成;所述副图案的体积小于主图案的体积;所述副图案排布在主图案的间隙中。本实用新型还公开了包括上述具有主副双图案的LED图形化衬底的LED芯片。本实用新型与普通LED图形化衬底相比,其衬底上的图案更加密集,有利于更多的光线射出LED芯片,尤其有利于更多的光线从芯片顶部射出,大大提高了LED的光提取率,为图形化衬底技术提供了新的研究与应用方向。
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公开(公告)号:CN203589068U
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201320608988.0
申请日:2013-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成;所述穹顶型图案为轴对称的椎体,椎体的底面为半径为0.8~1.2μm的圆形,椎体的高为1.3~1.6μm;椎体沿对称轴的截面为由两段对称的圆弧及一段直线段组成的类三角形;所述圆弧对应的圆心角为5°~15°。本实用新型还公开了包括上述图形化衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比,具有更优的出光效率,提高LED芯片的外量子效率,有效地抑制螺型位错的产生,进一步改善了磊晶质量,从而提高了LED的内量子效率。
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