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公开(公告)号：CN105449028B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510964453.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本发明还公开了上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。本发明的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。
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公开(公告)号：CN105405915B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510891176.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本发明还公开了上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。本发明的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106528973A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610931664.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种可见光蓝光探测器的模型的设计方法，包括以下步骤：(1)利用APSYS软件构建可见光蓝光探测器模型；(2)定义可见光蓝光探测器物理效应；(3)确定数据输出方式；何划分为多个计算网格以便有限元分析计算；(5)运行仿真：对划分好的网格进行有限元分析迭代计算，即在APSYS软件的仿真物理环境中模拟运算，仿真分析可见光蓝光探测器性能；(6)查看仿真结果；(7)确定该可见光蓝光探测器模型的性能参数。本发明避免了复杂的物理公式计算，通过物理模型与灵活的仿真环境可较为准确地仿真出蓝光探测器的性能，操作简单。(4)生成有限元分析模型：将探测器结构模型几
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公开(公告)号：CN105449028A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510964453.0
申请日：2015-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/184
Abstract: 本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本发明还公开了上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。本发明的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。
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公开(公告)号：CN105405915A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510891176.5
申请日：2015-12-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/03048 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本发明还公开了上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。本发明的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。
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公开(公告)号：CN205211779U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521004869.X
申请日：2015-12-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304
Abstract: 本实用新型公开了一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO2层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO2层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。本实用新型的InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。
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公开(公告)号：CN205211780U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521071523.1
申请日：2015-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本实用新型公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。本实用新型的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。
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