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公开(公告)号:CN110556433B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201910625034.2
申请日:2019-07-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0384 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层,所述阳极界面层为厚度为170~240nm的Spiro‑OMeTAD薄膜或厚度为10~40nm的聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过引入有机材料作为空穴传输层,有效地减少了载流子的复合,改善了漏电现象,相比于传统的倒置太阳电池,提高了器件短路电流和开路电压,改善了器件性能。本发明采用全溶液法加工,成本低,制作简便,有望实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN103346193A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310271252.3
申请日:2013-06-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光电器件领域,公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池,由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜;光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种;窗口层为CdS薄膜;阳极为Ag或者Al;光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术,实现太阳电池的超薄化,且性能优异,能量转换效率高达3.73%。
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公开(公告)号:CN119967933A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202510023769.3
申请日:2025-01-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/123 , H10F10/14 , H10F77/169 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的表面改性方法,其包括以下步骤:将短链绝缘配体溶液涂覆在碲化镉纳米晶薄膜表面,静置进行配体交换,再进行清洗,再涂覆镉盐溶液后进行热处理。本发明利用表面配体交换的方法来处理CdTe纳米晶薄膜,大幅减少了CdTe纳米晶的内在缺陷,减少载流子在传输过程中的复合问题,从而提高了CdTe纳米晶太阳能电池的性能。
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公开(公告)号:CN110098331A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910307074.2
申请日:2019-04-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括:在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl2溶液,然后进行热处理,得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。本发明提供的处理方法,通过螯合剂分子与金属离子的强结合作用,将金属离子包合到螯合剂内部;然后经过热处理,CdTe重结晶过程中会钝化纳米晶薄膜的缺陷空位等载流子复合中心,从而达到钝化CdTe纳米晶薄膜的活性、降低载流子的复合速度及提升器件的短路电流的目的。本发明提供的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜能够应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。
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公开(公告)号:CN106409971A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610515260.1
申请日:2016-06-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种具有体异质结结构的全溶液加工的高效纳米晶太阳电池及其制备方法,属于光电器件领域。所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、混合层、光活性层、阳极从下到上依次层叠构成。所述混合层是指窗口层材料与光活性层材料混合的纳米晶层。所述窗口层指CdSe、CdS或ZnS纳米晶薄膜;光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;而混合层为具有不同组分的CdSe:CdTe、CdS:CdTe或ZnS:CdTe薄膜。本发明所获得的体异质结结构的高效纳米晶太阳电池与一般的双层异质结结构纳米晶太阳电池相比,能量转换率及短路电流有大幅提高。本发明采用全溶液法加工,制备工艺简单,且制作成本低。
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公开(公告)号:CN116575125A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310422301.2
申请日:2023-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: C30B29/48 , C23C14/24 , C23C14/18 , C30B7/00 , H01L31/0296 , H01L31/073
Abstract: 本发明公开了一种卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜及其制备方法与太阳电池;本发明通过在碲化镉纳米晶薄膜上滴加卤素类铜盐溶液并匀散,之后进行热处理,得到卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜。所述太阳电池由依次层叠的ITO玻璃基底、ZnO层、CdSe层、卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜层、金属电极构成。本发明的方法可改善碲化镉纳米晶太阳电池的背接触,提升载流子的分离和收集效率,从而完成溶液法制备高性能碲化镉纳米晶薄膜太阳电池。本发明制备工艺简单,制备过程可在大气环境下完成,在大面积器件及大规模工业应用上具有优势。
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公开(公告)号:CN109980026A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201910210870.4
申请日:2019-03-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该电池从下而上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层及阳极组成;背电极修饰层为ZnTe薄膜及Cu薄膜。窗口层CdSe纳米晶作为受体材料,CdTe纳米晶作为给体材料,两者构成了阶梯带隙合金结构。本发明创新通过引入ZnTe:Cu界面层,Cu通过ZnTe薄膜对光活性层CdTe纳米晶进行掺杂,与CdTe光活性层形成欧姆接触,有效地降低了背接触势垒,提高CdTe薄膜载流子浓度,提高了光谱响应范围及电池转换效率,显著地提高了器件的性能。本发明提供的纳米晶太阳电池器件,制备成本低、性能好,为纳米晶太阳电池的应用奠定基础。
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公开(公告)号:CN105161562B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201510587067.4
申请日:2015-09-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种使用溶剂调控的PbS量子点异质结太阳电池及其制备方法,所述PbS量子点异质结太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、光活性层和阳极依次层叠构成,其特征在于在制备光活性层时使用了溶剂调控工艺。使用正辛烷、异辛烷、庚烷、正己烷、甲苯之一或将其中两者混合作为溶剂溶解PbS量子点,并将该溶液采用旋涂、刷涂、喷涂、浸涂、辊涂、丝网印刷、印刷或喷墨打印方式形成光吸收层。利用溶剂不同的极性、粘度、沸点等性质调控PbS量子点薄膜,使薄膜更加质密和平整,减少薄膜中的缺陷。本发明可明显提高PbS量子点异质结太阳电池的能量转换效率。本发明制备工艺简单,制备过程可在大气环境下完成,大大地减少了制作成本。
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公开(公告)号:CN104241411A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410318165.3
申请日:2014-07-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03925 , H01L31/022425 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种阳极界面修饰的高效碲化镉纳米晶肖特基结太阳电池及其制备方法,所述太阳电池由玻璃衬底、阳极、阳极界面层、光活性层、阴极依次层叠而成。在阳极与活性层之间加入阳极界面层进行阳极功函调控,阳极界面层指Au、MoOX或C60。阳极界面材料具有高的功函数。通过真空蒸镀的方式将阳极界面材料沉积在阳极衬底上或将阳极界面材料溶于有机溶剂制备成溶液,最终在阳极衬底上形成阳极界面层。本发明可明显提高碲化镉纳米晶肖特基结太阳电池能量转换效率,改善I-V曲线的卷曲现象,增强二极管特性,延长器件使用寿命。本发明制备工艺简单,主要制备过程均可在普通通风橱内溶液加工完成,大大地减少了制作成本。
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