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公开(公告)号：CN115128054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110323147.4
申请日：2021-03-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种活性金属氧化物磨粒与金刚石晶圆衬底界面摩擦化学反应的检测方法，通过磁控溅射法，在纳米压痕划痕仪用的金刚石压头表面包覆一层厚度均匀可控的活性金属氧化物磨粒壳层，通过与金刚石晶圆衬底的划擦实验来控制活性金属氧化物磨粒与晶圆之间的界面作用关系，再通过扫描探针显微拉曼光谱仪对金刚石晶圆衬底表面的相互作用区域进行化学成分检测，从而明确活性金属氧化物磨粒与晶圆衬底的界面摩擦化学反应机理，其操作简单，在半导体晶圆衬底的高效超精密加工领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108682647B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810778032.2
申请日：2018-07-16
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法，包括真空吸附平台、打码器、读码器、移动载体、位置调节装置、控制装置；所述打码器设置于移动载体上，所述移动载体包括第一移动载体、第二移动载体；所述读码器设置于所述位置调节装置上，所述位置调节装置包括第一位置调节装置、第二位置调节装置；所述控制装置控制所述第一移动载体、第二移动载体、第一位置调节装置和第二位置调节装置滑动；所述真空吸附平台用于放置和固定晶圆片。应用本技术方案可实现对晶圆片制备及后续芯片制作过程的全流程质量跟踪和监控。
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公开(公告)号：CN117381633A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319622.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通过磨粒去除反应层，实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明具有加工精度高、效率高、成本低等特点。
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公开(公告)号：CN117182793A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311239319.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种金刚石磨盘及其制备方法，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环柱体的所述盘体；每一结块的内端面均匀分布有不同形状的孔隙，所述孔隙构造为一体形成在结块上，并通过各个孔隙相互协作配合形成所述打磨面；通过DLP光固化3D打印技术制造出金刚石磨盘，可根据设计要求制造出合适的孔隙率和孔径，使磨盘具有多孔结构，不受传统的模具限制，能够满足不同结块的设计需求，可根据需要调整孔隙率和孔径，提供更好的磨削效果。
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公开(公告)号：CN117181051A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311225849.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 华侨大学
IPC: B01F27/90 , B01F33/501 , B01F101/23
Abstract: 本发明提供了一种用于砂轮原料的桌面级混料装置，涉及混料装置技术领域。包括底座、混料容器、搅拌机构以及控制件，所述底座用以支撑于桌面上；所述混料容器，设于所述底座的上方，所述混料容器的顶部设有开口，正对所述开口配置有可开合的盖体；所述搅拌机构包括设于所述混料容器内的搅拌器、用以驱使所述搅拌器转动的电机，所述搅拌器上设置有多个搅拌叶片，各所述搅拌叶片呈上下错位分布，且各所述搅拌叶片的顶面与搅拌器轴垂直，所述搅拌叶片的底面均呈圆弧形，用以减少对砂轮原料的剪切；所述控制件设于所述底座内部，并与所述电机相电连接，用以调控电机转速和搅拌时长。本申请结构简单，并设计为桌面级尺寸，便于实验室使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116652724A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310703069.X
申请日：2023-06-14
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种多工位金刚石衬底抛光装置及其加工方法，涉及精密加工技术领域，包括底座，以及配置在底座上的主轴机构和多个进给机构；主轴机构包括磨盘以及用以驱使磨盘转动的第一驱动件；进给机构包括机架、磨头、第二驱动件以及第三驱动件，第二驱动件用以驱使机架沿垂直方向移动，第三驱动件配置在机架上，用以与磨头适配连接，并可驱使磨头转动；磨头朝向磨盘的面贴有多片待加工的金刚石片；其中，各驱动件均与控制件相电连接，各进给机构沿磨盘的圆周方向阵列分布，抛光装置被构造成通过控制件驱使主轴机构和进给机构配合作业，以使各磨头上的待加工金刚石片同步在磨盘上打磨加工，从而提升加工效率，优化加工轨迹。
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公开(公告)号：CN107378812B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201710756297.8
申请日：2017-08-29
Applicant: 华侨大学
IPC: B24D18/00
Abstract: 本发明公开了一种凝胶研磨工具制备装置。包括溶胶分散单元和凝胶单元；其中溶胶分散单元包括溶胶池，溶胶池内设搅拌器；凝胶单元包括料缸，料缸内设有活塞，料缸进料口通过进料口单向阀连接溶胶池出料口；料缸出料口内设出料口单向阀；料缸出料口连接一出料嘴，料缸出料口下方设反应池，反应池内有反应液。本发明结构简单，易于控制且能够满足连续作业的需要，实现了凝胶研磨工具的自动化批量生产，大大提高了生产率和研磨工具制备稳定性，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN115213811B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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公开(公告)号：CN112595673B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202011296318.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶金刚石衬底光学常数测量方法，包括：采用透射式椭偏测量方式和反射式椭偏测量方式分别测量单晶金刚石衬底；通过上述测量分别获得透射光谱(ψt、Δt)和反射光谱(ψr、Δr)；依据上述测量获得光谱数据，采用Cauchy模型分别计算以获衬底光学常数，该光学常数至少包括衬底折射率n和消光系数k；评估拟合误差σ，当拟合误差超过预定条件，则优化光学模型或介电函数；比对优化后模型的拟合误差，选择一模型及测量方式以确定金刚石衬底的光学常数。它具有如下优点：光学常数测量更精准。
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公开(公告)号：CN111640687B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010510585.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
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