-
公开(公告)号：CN119609961A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510153341.0
申请日：2025-02-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于制备抛光垫的可图案化自动涂覆刮膜装置，涉及抛光垫设备技术领域。包括：搅拌装置、加料装置、支撑装置、磁吸转盘装置、滚轴刮刀装置和废料收集装置。通过本方案可进行图案化设计的抛光垫磨料涂覆装置，在保证磨料涂覆定量定速滴加的同时，可保证磨料层的图案化、均匀性和平整性，从而提高抛光垫的制作效率，丰富制作的种类，拓展其应用领域。
-
公开(公告)号：CN119187902A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411580201.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 华侨大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明属于微细加工技术领域，具体公开了一种电场辅助激光诱导等离子体加工透明硬脆材料装置及方法，其中装置包括计算机、激光加工系统、纵向电场发生装置，所述激光加工系统包括激光器、扩束器、反射镜、扫描振镜，所述纵向电场发生装置包含电极片、直流稳压电源；所述计算机与激光加工系统中的激光器相连接；所述纵向电场发生装置通过电极片与透明硬脆材料待加工面上的透明导电薄膜、材料下方的金属靶材相连接形成纵向电场。本发明改进电场施加方式缩短了两极板的间距，使电极间距可达微米级别，在较低电压下可以产生较大的电场力；将透明导电薄膜作为电极，可以使入射激光穿过电极进行加工而不被阻挡，使得加工装置更为简易、加工方式更加灵活。
-
公开(公告)号：CN113311101B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110517776.0
申请日：2021-05-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了金刚石‑金属高温固态界面反应样品制备方法，包括：加工金刚石、金属成平整块状或片状；加工金刚石、金属致使金刚石、金属平行度达预定要求；研磨抛光即将发生高温固态界面反应的金刚石、金属的接触面；采用丙酮溶液超声清洗金刚石、金属并烘干；装接金刚石、金属且保证金刚石、金属的接触面充分接触；装接好的金刚石和金属置于真空加热炉中进行时效或变温处理以获高温固态界面反应样品；形貌观察样品及分析样品成分。它具有如下优点：适用于金刚石‑金属反应体系中的固‑固反应体系，完善金刚石‑金属反应试验过程。
-
-
公开(公告)号：CN118186563A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410309397.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于电化学机械抛光的工具制备方法及抛光工具，其制备方法通过在抛光工具的配方中添加导电填料，使得抛光工具存在联结的导电网络，因而抛光工具可以在电场作用下实现对半导体晶圆的电化学机械抛光，并且由于加工工具的导电性，材料去除率大大提高，同时抛光液可以使用绿色无污染的水或氯化钠溶液去除磨削的材料；通过该种方法制备的抛光工具可以提高材料去除率，获得较好的表面质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064777A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410224390.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 华侨大学
IPC: C22C26/00 , C22C14/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , B22F1/12 , B22F3/14 , B22F5/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , B24D7/06
Abstract: 本发明公开了一种金属金刚石复合烧结体及其制备方法和应用，其中，金属金刚石复合烧结体由体积比为0.5‑1:1‑4的金刚石磨料和金属粉末在真空环境中热压烧结得到，按质量份数计，金属粉末包括10份‑90份钛粉和10份‑30份氧化铝粉。相对于传统的铁基胎体，本申请的胎体以钛、氧化铝、铜和铁复配得到，多种金属粉末复配使得该金属金刚石复合烧结体能够有效提高研磨效率和去除率并具有较好的把持力和抗氧化性能，能够有效防止金属金刚石复合烧结体失效。
-
公开(公告)号：CN117840824A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263207.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。
-
公开(公告)号：CN109048645B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810895449.7
申请日：2018-08-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体衬底研磨的半固结研磨盘及其制备方法和用途，半固结研磨盘包括基盘及若干磨片；磨片包括骨架及含有磨粒的半固结研磨介质；骨架上均匀设有若干贯穿骨架上下表面的孔洞，含有磨粒的半固结研磨介质填充于该些孔洞内；骨架的硬度大于所述半固结研磨介质的硬度；若干磨片的下表面固接在所述基盘，若干磨片的上表面共同形成研磨工作面，相邻磨片间的间隙形成流道。本发明的用于半导体衬底研磨的新型结构半固结研磨盘，不仅可以获得较好的表面质量和较高的研磨效率，同时还可改善衬底的面形精度，可用于面形精度要求较高的半导体衬底零件的精密研磨加工。
-
公开(公告)号：CN109894976B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910300771.5
申请日：2019-04-15
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种能够实时检测的金刚石工具上砂微整装置，包括回转结构式的金刚石工具、工作台和设于所述工作台上的实时检测组件和上砂微整组件，所述实时检测组件包括：显示屏、数码放大显微镜、光源和万向伸缩支架，所述万向伸缩支架固设于所述工作台上，所述显示屏、所述数码放大显微镜和所述光源固设于所述万向伸缩支架上，所述数码放大显微镜的输出端连接所述显示屏的输入端；所述上砂微整组件包括夹持组件和能够沿着所述金刚石工具的径向方向进行修整的径向修整组件以及能够沿着所述金刚石工具的轴向方向进行修整的轴向修整组件，所述夹持组件夹持所述金刚石工具，所述径向修整组件和所述轴向修整组件均与所述夹持组件相对设置。
-
公开(公告)号：CN117371189A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311239202.7
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明属于模拟仿真技术领域，并公开了一种金刚石多孔磨具流通性能预测模型构建方法、装置及设备，方法包括：设计生成多种不同类型的金刚石多孔磨具的结构模型；将结构模型转化成STL.格式，导入到Magics中进行布尔运算得到符合渗透率表征的形状和尺寸的多孔结构，并通过激光选区融化技术打印成型，得到金刚石多孔磨具样品；使用渗透率表征仪测出金刚石多孔磨具样品的水力系数公式的相关参数，将相关参数带入到渗透率系数公式中求出不同金刚石多孔磨具样品的渗透率系数；根据所述渗透率系数进行非线性拟合得到不同种类的金刚石多孔磨具样品的预测模型，并通过置信系数验证预测模型的合理性。本发明实现了对多孔磨具的渗透性能的表征以及预测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
563
records
(took 0.05 seconds)
