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公开(公告)号：CN111640687B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010510585.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN111633559A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010515340.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法，首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测，得到三维形貌检测图和测量数据，对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V，取所有测量区域的材料体积的平均值，作为需要去除的材料余量体积V1，根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测，还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估，应用范围广。
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公开(公告)号：CN111638305B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202010510890.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法，所述方法为制作单晶材料样品，确定单晶材料样品所有的潜在最优加工方向，对单晶材料沿着每个潜在最优加工方向进行加工；在每次加工中获取用于测评该潜在最优加工方向的评定特征；所述的评定特征包括加工过程中的加工力、加工完成后的表面形貌特征和亚表面损伤层深度；所述的加工力包括切向力和法向力；最后根据评定特征，选择出最优加工方向，提高加工效率和加工的质量。
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公开(公告)号：CN111638305A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010510890.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法，所述方法为制作单晶材料样品，确定单晶材料样品所有的潜在最优加工方向，对单晶材料沿着每个潜在最优加工方向进行加工；在每次加工中获取用于测评该潜在最优加工方向的评定特征；所述的评定特征包括加工过程中的加工力、加工完成后的表面形貌特征和亚表面损伤层深度；所述的加工力包括切向力和法向力；最后根据评定特征，选择出最优加工方向，提高加工效率和加工的质量。
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公开(公告)号：CN111633559B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010515340.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法，首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测，得到三维形貌检测图和测量数据，对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V，取所有测量区域的材料体积的平均值，作为需要去除的材料余量体积V1，根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测，还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估，应用范围广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111640687A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010510585.7
申请日：2020-06-08
Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 , 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法，包括如下步骤：在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条，然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验，且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反，得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品，通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测，最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度，确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中，能够确定最优加工方向，减少崩边的尺寸，提高加工质量和晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN119609961A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510153341.0
申请日：2025-02-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于制备抛光垫的可图案化自动涂覆刮膜装置，涉及抛光垫设备技术领域。包括：搅拌装置、加料装置、支撑装置、磁吸转盘装置、滚轴刮刀装置和废料收集装置。通过本方案可进行图案化设计的抛光垫磨料涂覆装置，在保证磨料涂覆定量定速滴加的同时，可保证磨料层的图案化、均匀性和平整性，从而提高抛光垫的制作效率，丰富制作的种类，拓展其应用领域。
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公开(公告)号：CN119187902A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411580201.3
申请日：2024-11-07
Applicant: 华侨大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明属于微细加工技术领域，具体公开了一种电场辅助激光诱导等离子体加工透明硬脆材料装置及方法，其中装置包括计算机、激光加工系统、纵向电场发生装置，所述激光加工系统包括激光器、扩束器、反射镜、扫描振镜，所述纵向电场发生装置包含电极片、直流稳压电源；所述计算机与激光加工系统中的激光器相连接；所述纵向电场发生装置通过电极片与透明硬脆材料待加工面上的透明导电薄膜、材料下方的金属靶材相连接形成纵向电场。本发明改进电场施加方式缩短了两极板的间距，使电极间距可达微米级别，在较低电压下可以产生较大的电场力；将透明导电薄膜作为电极，可以使入射激光穿过电极进行加工而不被阻挡，使得加工装置更为简易、加工方式更加灵活。
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公开(公告)号：CN113311101B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110517776.0
申请日：2021-05-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了金刚石‑金属高温固态界面反应样品制备方法，包括：加工金刚石、金属成平整块状或片状；加工金刚石、金属致使金刚石、金属平行度达预定要求；研磨抛光即将发生高温固态界面反应的金刚石、金属的接触面；采用丙酮溶液超声清洗金刚石、金属并烘干；装接金刚石、金属且保证金刚石、金属的接触面充分接触；装接好的金刚石和金属置于真空加热炉中进行时效或变温处理以获高温固态界面反应样品；形貌观察样品及分析样品成分。它具有如下优点：适用于金刚石‑金属反应体系中的固‑固反应体系，完善金刚石‑金属反应试验过程。
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