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公开(公告)号：CN116141214B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210934985.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种可循环利用的混合磨料抛光膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将热塑性弹性体TPE加热至熔融状态，获得熔融态TPE；(2)将微米级硬质磨料与微米级稀土磨料混合均匀，制成混合磨料；(3)将混合磨料与熔融态TPE混合均匀；(4)将步骤(3)所得的物料进行挤出流延成型，即得所述混合磨料抛光膜。本发明制备的混合磨料抛光膜的应用范围广，普遍适用于陶瓷基材抛光、平坦石材表面抛光、半导体晶圆抛光以及大尺寸平面的精密加工，在有破损的情况下，可通过简单的加热至熔融状态后，再次经过挤出流延的方法再次成型，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN117840824B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410263207.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。
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公开(公告)号：CN117817448A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410244827.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种磨粒放电诱导去除绝缘晶圆表面的磨抛加工方法，通过制备的带有软质磨粒和金属颗粒的磨抛盘，并利用磁场将工作液中的金属粉末吸附到工件表面形成金属层，再通过控制脉冲电源，使金属层与磨抛盘表层的金属颗粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导绝缘晶圆表层熔融变质而不产生裂纹，由软质磨粒去除变质层，显著提高大尺寸绝缘晶圆的加工效率，得到无损伤绝缘晶圆表面，实现绝缘晶圆的超精密加工，尤其是，在工件表面形成变质层以及金属层，通过至少两层防护于工件表面，达到更为快速的去除操作和更为有效的晶圆保护。
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公开(公告)号：CN115101455A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210856973.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种金刚石晶片的贴片装置，他包括装接底座以及均装接在该装接底座上的带控制器的控制模块、旋转底座、第一垂直驱动机构、第二垂直驱动机构、衬底吸取机构、点胶机构、装膜机构及切膜机构；该旋转底座能相对装接底座水平转动，并用于放置至少一金刚石晶片；该衬底吸取机构用于吸取装接衬底；该点胶机构用于给金刚石晶片点胶；该装膜机构用于薄膜的缠绕安装；该切膜机构用于薄膜的切断。他具有如下优点：设计巧妙、操作方便，自动化程度高，可以实现多片金刚石晶片在一块衬底的贴合作业。
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公开(公告)号：CN117381633A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319622.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体晶圆抛光方法，其包括：将柔性固结磨料抛光膜安装抛光盘上，将宽禁带半导体晶圆设置在柔性固结磨料抛光膜表面，并在宽禁带半导体晶圆上方设置载物盘；向载物盘施加载荷，使宽禁带半导体晶圆与柔性固结磨料抛光膜产生挤压接触，驱动所述抛光盘转动，以使柔性固结磨料抛光膜与宽禁带半导体晶圆在不同旋转速度下产生相对运动；在柔性固结磨料抛光膜表面加入两性离子化合物溶液作为抛光液，抛光液在所述磨粒的摩擦诱导下与宽禁带半导体晶圆产生界面化学反应，生成硬度较低的反应层；通过磨粒去除反应层，实现宽禁带半导体晶圆的抛光。本发明具有加工精度高、效率高、成本低等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117182793A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311239319.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种金刚石磨盘及其制备方法，所述金刚石磨盘由盘体和打磨面组成，所述打磨面配置在盘体上，用于在旋转后对外部工作面实施平整打磨；所述盘体配置成由DLP光固化的3D打印方式制造出为多孔结构的多边形结块所构造成；多个所述多边形结块通过结合剂规则拼接而成呈环柱体的所述盘体；每一结块的内端面均匀分布有不同形状的孔隙，所述孔隙构造为一体形成在结块上，并通过各个孔隙相互协作配合形成所述打磨面；通过DLP光固化3D打印技术制造出金刚石磨盘，可根据设计要求制造出合适的孔隙率和孔径，使磨盘具有多孔结构，不受传统的模具限制，能够满足不同结块的设计需求，可根据需要调整孔隙率和孔径，提供更好的磨削效果。
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公开(公告)号：CN117181051A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311225849.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 华侨大学
IPC: B01F27/90 , B01F33/501 , B01F101/23
Abstract: 本发明提供了一种用于砂轮原料的桌面级混料装置，涉及混料装置技术领域。包括底座、混料容器、搅拌机构以及控制件，所述底座用以支撑于桌面上；所述混料容器，设于所述底座的上方，所述混料容器的顶部设有开口，正对所述开口配置有可开合的盖体；所述搅拌机构包括设于所述混料容器内的搅拌器、用以驱使所述搅拌器转动的电机，所述搅拌器上设置有多个搅拌叶片，各所述搅拌叶片呈上下错位分布，且各所述搅拌叶片的顶面与搅拌器轴垂直，所述搅拌叶片的底面均呈圆弧形，用以减少对砂轮原料的剪切；所述控制件设于所述底座内部，并与所述电机相电连接，用以调控电机转速和搅拌时长。本申请结构简单，并设计为桌面级尺寸，便于实验室使用。
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公开(公告)号：CN116652724A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310703069.X
申请日：2023-06-14
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提供了一种多工位金刚石衬底抛光装置及其加工方法，涉及精密加工技术领域，包括底座，以及配置在底座上的主轴机构和多个进给机构；主轴机构包括磨盘以及用以驱使磨盘转动的第一驱动件；进给机构包括机架、磨头、第二驱动件以及第三驱动件，第二驱动件用以驱使机架沿垂直方向移动，第三驱动件配置在机架上，用以与磨头适配连接，并可驱使磨头转动；磨头朝向磨盘的面贴有多片待加工的金刚石片；其中，各驱动件均与控制件相电连接，各进给机构沿磨盘的圆周方向阵列分布，抛光装置被构造成通过控制件驱使主轴机构和进给机构配合作业，以使各磨头上的待加工金刚石片同步在磨盘上打磨加工，从而提升加工效率，优化加工轨迹。
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公开(公告)号：CN115213811B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210852879.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
IPC: B24B37/34 , H01L21/306 , B24B1/00 , B24B37/04 , B24B37/30
Abstract: 本申请公开了一种用于光辅助化学机械抛光的载具以及抛光加工方法，载具包括光源底座、光源聚焦装置以及晶圆安装座；光源底座与晶圆安装座分别设置于光源聚焦装置的两端；光源底座用于安装在抛光机上，光源底座上安装有光源；光源聚焦装置包括防护罩、第一凸透镜以及第二凸透镜，第一凸透镜与第二凸透镜同轴间隔设置在防护罩内，防护罩内设置有驱动件，用于驱动第二凸透镜靠近或远离第一凸透镜运动；光源通过外部红外遥控开光控制其光照强度；晶圆安装座上设置有光强传感器，光强传感器用于将信号反馈至外部处理器，外部处理器将光照强度值显示在显示器上。本申请能够提高晶圆加工质量。
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公开(公告)号：CN115070629A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856788.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本申请公开了一种用于复杂曲面石材的抛光磨头制备方法以及抛光方法，抛光磨头的制备方法包括以下步骤：S1，选用两种金属棒，一种金属棒前端为圆柱型，另一种金属棒前端为球头型；两种金属棒前端均粘接一层橡胶层；S2，将高分子纤维布涂抹胶水，并将纤维布粘贴在带有橡胶层的金属棒前端，重复粘贴纤维布6‑10层，形成一个具有柔性基体的磨头；S3，将磨料混入海藻酸钠溶液中搅拌均匀，将柔性基体浸没在海藻酸钠溶液中，重复3‑5分钟后取出，海藻酸钠形成凝胶附着在柔性基体上；S4，将步骤S3中的柔性基体部位浸没于氯化钙溶液中固化2‑5h，取出后干燥24‑72h。本申请能够提高抛光质量和加工效率。
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