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公开(公告)号：CN109461799A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811093229.9
申请日：2018-09-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED的外延结构，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Alx2Gay2N周期性排布组成；势垒Alx1Gay1N的厚度为1nm～3nm，势阱Alx2Gay2N的厚度为0.1nm～2nm，其中，0
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公开(公告)号：CN109103313A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810851579.0
申请日：2018-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种深紫外LED芯片的外延结构，包括依次叠加设置的P型GaN层，P型AlGaN层，多量子阱有源层，N型AlGaN层，AlN层和蓝宝石衬底，其特征在于，所述多量子阱有源层和N型AlGaN层共同组成调节层，所述调节层具有至少一个倾斜侧面，所述倾斜侧面与水平截面之间靠近所述调节层中心侧的夹角为台面刻蚀夹角，且所述台面刻蚀夹角为28-40度可控；本发明还提供了所述深紫外LED芯片的外延结构的制备方法，通过控制不同的干法刻蚀参数，来调整台面的刻蚀角度及深度；该方法可以有效提取TE和TM模式的深紫外光，提升深紫外光LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN111129261B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911311802.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED的制备工艺方法及白光LED，包括：制备白光转换板，白光转换板包括：YAG：Ce3+黄色荧光粉层、AlN膜及蓝宝石基底，蓝宝石基底上沉积有AlN膜，AlN膜上覆盖有荧光粉层；将LED芯片阵列固定在已清洁的金属围坝支架内部；利用点胶机在金属围坝支架上点涂密封剂；将白光转换板放置在金属围坝支架上后，在150～160℃温度下烘烤1～1.5h；其中，AlN膜的热导率为300W/(m·K)；AlN膜可以提供高效热导通道；荧光粉颗粒被LED芯片激发产生的巨大热量可经高效热导通道迅速导出至散热器与外部环境中，降低荧光粉的工作温度，提高大功率白光LED的光效与光照质量。
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公开(公告)号：CN111146324A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911164377.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超高显色指数白光LED器件，涉及发光二极管的技术领域。包括陶瓷基板，陶瓷基板上端面的边缘处固定有顶部开口的围坝，陶瓷基板的上端面于围坝内焊接有芯片，围坝内填充有覆盖芯片的荧光胶，荧光胶包含有质量为x的绿色荧光粉、质量为y的红色荧光粉以及质量为z的硅胶，其中，12.5≤x/y≤20.9，1.9≤z/(x+y)≤3.125。通过在上述范围内配比绿色荧光粉与红色荧光粉，以及二者混合后与硅胶进行配比，可以较为容易地使白光LED显色指数超过90，且能得到绿色荧光粉与红色荧光粉在0.15/0.010的比例下，R9可高达98.89。
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公开(公告)号：CN117558842A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311699008.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合，在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构，经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器，最后二次外延生长深紫外LED结构，通过引入高深紫外反射率的分布式布拉格反射器，将芯片内部量子阱向下发射的光子重新反射上去，采用双向光提取机制提升了深紫外LED芯片光提取效率，同时根据量子阱发光波长匹配较高Al组分的P型空穴注入层与p型电流扩展层，再引入可以形成良好欧姆接触的氧化铟锡(ITO)深紫外高透光电极，减少p型层对深紫外光子的吸收，进一步提高深紫外LED的光提取效率，最终提高整个深紫外芯片的外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117476798A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311430120.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种紫外探测器及制备方法，涉及半导体器件技术领域，该紫外探测器包括：衬底层；第一有源层，设置于所述衬底层的一侧；第二有源层，设置于所述第一有源层远离所述衬底层的一侧，其中，所述第一有源层的带隙与所述第二有源层的带隙不同；电极层，所述电极层设置于所述第二有源层远离所述衬底层的一侧。通过叠层设置带隙不同的第一有源层与第二有源层，扩大有源层的带隙宽度，使得紫外光线依次入射到第二有源层和第一有源层，进而扩大紫外探测器波长吸收范围，从而可以提高紫外探测器对宽谱紫外光线的捕获能力，进一步可以提高紫外探测器的响应效果，提高紫外探测器的灵敏度和探测范围。
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公开(公告)号：CN111129261A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911311802.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED的制备工艺方法及白光LED，包括：制备白光转换板，白光转换板包括：YAG：Ce3+黄色荧光粉层、AlN膜及蓝宝石基底，蓝宝石基底上沉积有AlN膜，AlN膜上覆盖有荧光粉层；将LED芯片阵列固定在已清洁的金属围坝支架内部；利用点胶机在金属围坝支架上点涂密封剂；将白光转换板放置在金属围坝支架上后，在150～160℃温度下烘烤1～1.5h；其中，AlN膜的热导率为300W/(m·K)；AlN膜可以提供高效热导通道；荧光粉颗粒被LED芯片激发产生的巨大热量可经高效热导通道迅速导出至散热器与外部环境中，降低荧光粉的工作温度，提高大功率白光LED的光效与光照质量。
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公开(公告)号：CN113206174A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110397975.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113206174B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110397975.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5‑1000nm。该复合衬底可通过将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面并通过干燥制得，并应用于深紫外LED上。本发明采用纳米片和蓝宝石衬底复合构成衬底，由于外延材料不能在纳米片上成核，因此可延缓外延材料愈合过程，在愈合过程中大部分位错由于镜像力而弯曲，只有少量位错继续向上延伸，有效的降低了外延层表面处的位错密度，提高了深紫外LED的晶体质量。
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公开(公告)号：CN112510043B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011389019.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片领域公开了一种深紫外LED集成芯片及其制备方法，该芯片是以单一一片外延生长有AlGaN外延片的晶圆衬底为基底，集成有至少2个PN结单元；每一个PN结单元作为一个深紫外LED发光单元，能够实现发光波长λ
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