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公开(公告)号：CN120016281A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510147220.5
申请日：2025-02-11
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，方法包括：在第一衬底上依次形成第一外延层、牺牲层、第二外延层和第一DBR反射层，第二外延层至少包括有源层；对第一DBR反射层、第二外延层和牺牲层进行图形化处理；采用电化学刻蚀的方法，刻蚀掉图形化牺牲层，以将图形化第二外延层和图形化第一DBR反射层整体从第一外延层上剥离；将剥离后的图形化第一DBR反射层和图形化第二外延层与第二衬底键合；在图形化第二外延层的远离图形化第一DBR反射层的一侧形成图形化第二DBR反射层，以得到VCSEL。通过设置牺牲层配合电化学刻蚀，可以提高剥离的外延层表面的光滑度，从而提高VCSEL的发光效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN119944432A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510123953.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种深紫外光子晶体面发射激光器，涉及半导体光电技术领域。深紫外光子晶体面发射激光器包括：衬底层、氮化铝模板层、第一布拉格反射层、外延结构和第二布拉格反射层；氮化铝模板层设置于第一布拉格反射层与衬底层之间，外延结构设置于第二布拉格反射层与第一布拉格反射层之间；其中，第一布拉格反射层包括周期性排列的气孔型光子晶体结构、多个第一子层和多个第二子层，第一子层包括Alx1Ga1‑x1N材料，第二子层包括Alx2Ga1‑x2N材料，0.3≤x1≤0.4，0.45≤x2≤0.55。本申请降低了深紫外光子晶体面发射激光器的激射阈值，并提高了深紫外光子晶体面发射激光器的激射功率。
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公开(公告)号：CN117637946A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311624718.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高多波段发光器件的集成度和小型化程度，降低制备难度。其中，上述发光器件包括：衬底；缓冲层，设置于所述衬底的一侧；量子阱光学谐振腔，设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；发光层，设置于所述量子阱光学谐振腔远离所述缓冲层的一侧；其中，所述量子阱光学谐振腔包括III族氮化物，所述量子阱光学谐振腔用于谐振出射第一波段光，所述发光层包括单层的直接带隙二维材料，所述发光层用于出射第二波段光。
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公开(公告)号：CN117558842A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311699008.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合，在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构，经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器，最后二次外延生长深紫外LED结构，通过引入高深紫外反射率的分布式布拉格反射器，将芯片内部量子阱向下发射的光子重新反射上去，采用双向光提取机制提升了深紫外LED芯片光提取效率，同时根据量子阱发光波长匹配较高Al组分的P型空穴注入层与p型电流扩展层，再引入可以形成良好欧姆接触的氧化铟锡(ITO)深紫外高透光电极，减少p型层对深紫外光子的吸收，进一步提高深紫外LED的光提取效率，最终提高整个深紫外芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN117476798A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311430120.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种紫外探测器及制备方法，涉及半导体器件技术领域，该紫外探测器包括：衬底层；第一有源层，设置于所述衬底层的一侧；第二有源层，设置于所述第一有源层远离所述衬底层的一侧，其中，所述第一有源层的带隙与所述第二有源层的带隙不同；电极层，所述电极层设置于所述第二有源层远离所述衬底层的一侧。通过叠层设置带隙不同的第一有源层与第二有源层，扩大有源层的带隙宽度，使得紫外光线依次入射到第二有源层和第一有源层，进而扩大紫外探测器波长吸收范围，从而可以提高紫外探测器对宽谱紫外光线的捕获能力，进一步可以提高紫外探测器的响应效果，提高紫外探测器的灵敏度和探测范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115064614A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210533095.8
申请日：2022-05-13
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/10 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01S5/183
Abstract: 本申请实施例中公开了一种AlGaN基深紫外DBR及其制备方法，通过本制备方法得到的AlGaN基深紫外DBR包括在蓝宝石衬底上沉积AlN模板，在AlN模板上交替沉积40周期的硅掺杂的n‑Al0.62Ga0.38N层和未掺杂的u‑Al0.62Ga0.38N层，其中，所述n‑AlGaN层具有纳米孔。本实施例采用相同Al组分的AlGaN材料制备深紫外DBR避免了外延过程中晶格失配和热失配导致的晶体质量差的问题，并且n‑AlGaN层经过电化学腐蚀引入纳米孔降低了有效折射率，从而和n‑AlGaN层之间形成较大的折射率差，实现了高反射率的AlGaN基深紫外DBR，通过本方案可以提升深紫外DBR的质量。
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公开(公告)号：CN118431332A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410558259.1
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开一种宽谱探测器及其制备方法，涉及光电探测的技术领域，能够提高探测器的光电响应。宽谱探测器包括衬底；凸起结构，设置于所述衬底，所述凸起结构远离所述衬底的一侧具有凸起表面；覆盖层，设置于所述凸起结构远离所述衬底的一侧，且覆盖所述凸起表面；第一电极，设置于所述覆盖层远离所述衬底的一侧，所述第一电极与所述覆盖层电连接；第二电极，设置于所述覆盖层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述覆盖层电连接；其中，所述凸起结构在所述衬底上的正投影位于所述第一电极在所述衬底上的正投影和所述第二电极在所述衬底上的正投影之间。
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公开(公告)号：CN117702263A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311706238.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请的实施例提供了一种二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构的制备方法，所述方法包括：在预处理后的衬底基板上旋涂钼源溶液，所述衬底基板上沉积有氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层上沉积有氮化铝镓薄膜层，所述钼源溶液中含有钼酸钠和催化剂；将石英舟放置于三温区管式炉的第三温区，以及将陶瓷舟放置于所述三温区管式炉的第一温区，其中，所述石英舟中盛放有旋涂后的衬底基板，所述陶瓷舟中盛放有硫粉；在所述三温区管式炉满足预设要求的条件下，通过所述钼酸钠和所述硫粉发生反应，在所述氮化铝镓薄膜层上形成单层二硫化钼薄膜。本申请的实施例提供的技术方案能快速的制备得到高质量的二硫化钼/氮化铝镓混维异质结构。
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公开(公告)号：CN118117447A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311810766.1
申请日：2023-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开一种激光器的制备方法及激光器，涉及半导体技术领域，能够降低激光器出光阈值。激光器的制备方法包括：在基底上设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；在激光器外延片背离基底的一侧表面设置保护层；对设置有保护层的激光器外延片进行切割，以得到激光条；对激光条进行电化学腐蚀；去除电化学腐蚀后的激光条的保护层，得到激光器。
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公开(公告)号：CN117810305A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311862981.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L33/00 , H01L33/60 , H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法；所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液电化学刻蚀处理电极，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对多孔AlGaN样品进行浸泡处理，后干燥处理后的多孔AlGaN样品，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V；该方法克服了分布式布拉格反射器中AlGaN层存在的低折射率差、大晶格失配和高应变积累的缺陷。
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