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公开(公告)号：CN114108082A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409834.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。本申请提供的一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器将多周期超薄GaN量子阱作为深紫外激光器的增益区，该量子阱具有较高的辐射发光效率，同时具备横电(TE)模式的偏振特性。
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公开(公告)号：CN111129261A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911311802.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED的制备工艺方法及白光LED，包括：制备白光转换板，白光转换板包括：YAG：Ce3+黄色荧光粉层、AlN膜及蓝宝石基底，蓝宝石基底上沉积有AlN膜，AlN膜上覆盖有荧光粉层；将LED芯片阵列固定在已清洁的金属围坝支架内部；利用点胶机在金属围坝支架上点涂密封剂；将白光转换板放置在金属围坝支架上后，在150～160℃温度下烘烤1～1.5h；其中，AlN膜的热导率为300W/(m·K)；AlN膜可以提供高效热导通道；荧光粉颗粒被LED芯片激发产生的巨大热量可经高效热导通道迅速导出至散热器与外部环境中，降低荧光粉的工作温度，提高大功率白光LED的光效与光照质量。
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公开(公告)号：CN109727847A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811625620.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法，所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法为：采用物理气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积30nm厚的AlN缓冲层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层。本发明有效降低了AlN外延层的位错缺陷密度，改善了表面品平整度，并有效减少了AlN薄膜的表面裂纹。
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公开(公告)号：CN109301044A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811194596.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓正装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对正装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，能够便捷的制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109273564A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811194479.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片装置及制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上；氧化镓衬底通过第九侧面设置在第八侧面上。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109103309A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194480.4
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对倒装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109599468B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811380251.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方。经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
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公开(公告)号：CN109599468A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811380251.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方。经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
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公开(公告)号：CN109346570A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811194597.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109103313A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810851579.0
申请日：2018-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种深紫外LED芯片的外延结构，包括依次叠加设置的P型GaN层，P型AlGaN层，多量子阱有源层，N型AlGaN层，AlN层和蓝宝石衬底，其特征在于，所述多量子阱有源层和N型AlGaN层共同组成调节层，所述调节层具有至少一个倾斜侧面，所述倾斜侧面与水平截面之间靠近所述调节层中心侧的夹角为台面刻蚀夹角，且所述台面刻蚀夹角为28-40度可控；本发明还提供了所述深紫外LED芯片的外延结构的制备方法，通过控制不同的干法刻蚀参数，来调整台面的刻蚀角度及深度；该方法可以有效提取TE和TM模式的深紫外光，提升深紫外光LED的出光效率。
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