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公开(公告)号：CN117558842A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311699008.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请提供的一种正面出光深紫外LED芯片制备方法将MOCVD技术与芯片工艺相结合，在AlN缓冲层上外延生长分布式布拉格反射器外延结构，经过电化学刻蚀后形成高深紫外反射率的反射器，最后二次外延生长深紫外LED结构，通过引入高深紫外反射率的分布式布拉格反射器，将芯片内部量子阱向下发射的光子重新反射上去，采用双向光提取机制提升了深紫外LED芯片光提取效率，同时根据量子阱发光波长匹配较高Al组分的P型空穴注入层与p型电流扩展层，再引入可以形成良好欧姆接触的氧化铟锡(ITO)深紫外高透光电极，减少p型层对深紫外光子的吸收，进一步提高深紫外LED的光提取效率，最终提高整个深紫外芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN119069586B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411554099.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及光子晶体增强出光的深紫外micro‑LED芯片及其制备方法，属于发光电子技术领域。本发明在MESA台面周围暴露的n‑AlGaN外延层利用纳米球刻蚀技术制备出周期性光子晶体结构，从而实现深紫外micro‑LED光提取的提高。本发明提出通过在暴露的n‑AlGaN层引入周期与有源层发射波长相当的光子晶体结构，通过光栅衍射效应增加了光的散射路径，提高了深紫外micro‑LED的光提取效率；同时选择对紫外光具有较高反射率的Al基金属膜作为N电极连接金属，不仅可以连接不同台面周围的N电极以形成完整回路，又可反射紫外光至衬底一侧，进一步提高了芯片的光提取效率，最终提高了整个深紫外芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN119069586A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411554099.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及光子晶体增强出光的深紫外micro‑LED芯片及其制备方法，属于发光电子技术领域。本发明在MESA台面周围暴露的n‑AlGaN外延层利用纳米球刻蚀技术制备出周期性光子晶体结构，从而实现深紫外micro‑LED光提取的提高。本发明提出通过在暴露的n‑AlGaN层引入周期与有源层发射波长相当的光子晶体结构，通过光栅衍射效应增加了光的散射路径，提高了深紫外micro‑LED的光提取效率；同时选择对紫外光具有较高反射率的Al基金属膜作为N电极连接金属，不仅可以连接不同台面周围的N电极以形成完整回路，又可反射紫外光至衬底一侧，进一步提高了芯片的光提取效率，最终提高了整个深紫外芯片的外量子效率。
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