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公开(公告)号：CN110379903B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910693448.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
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公开(公告)号：CN110987880A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323860.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构，包括：金属围坝支架、LED芯片、透镜、金属电极和光激发气敏材料；其中，所述金属围坝支架上设置有凹槽，所述LED芯片设置与所述凹槽内，所述LED芯片用于产生LED光源；所述透镜封装于所述金属围坝支架上，用于将所述LED芯片封装于所述金属围坝支架内；所述光激发气敏材料设置于所述透镜上，用于在接触到气体时生成电信号；所述光激发气敏材料与所述透镜之间设置有金属电极，所述金属电极将所述光激发气敏材料生成的电信号导出。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
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公开(公告)号：CN109786537A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811610243.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于LED器件领域，公开了一种全无机LED封装结构，包括围坝型的覆铜陶瓷基板、设置在覆铜陶瓷基板内部的LED芯片，设置在覆铜陶瓷基板顶部的平面石英玻璃、设置在平面石英玻璃下表面的第一金属层；第一金属层的大小为平面石英玻璃与覆铜陶瓷基板接触的区域的大小；第一金属层由上至下依次包括Cr、Pt、Au金属层，第一金属层的总厚度为0.9μm～2μm；本发明还公开了一种全无机LED封装结构的制备方法，包括LED芯片固晶、制备第一金属层、完成LED封装。本发明的目的在于解决现有技术中LED封装技术得到的LED器件可靠性低及容易透气、透湿的技术问题。
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公开(公告)号：CN109524526A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种新型深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N-AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种新型深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN109524526B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109301044A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811194596.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓正装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对正装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，能够便捷的制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109273564A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811194479.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片装置及制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上；氧化镓衬底通过第九侧面设置在第八侧面上。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN110987879A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323633.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构的制备方法，包括：制备获得金属围坝支架和LED芯片；制备获得与所述金属围坝支架上表面匹配的透镜；在所述透镜上表面制备金属电极，获得带金属电极的透镜；在所述带金属电极的透镜上表面制备光激发气敏材料，使光激发气敏材料与所述金属电极电连接；将带金属电极和光激发气敏材料的透镜的下表面与所述金属围坝支架粘接，以对所述LED芯片进行封装，获得气敏传感器结构。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
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公开(公告)号：CN109599469A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811549557.5
申请日：2018-12-18
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法，所述蛾眼结构深紫外发光二极管包括外延层和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有第一表面和第二表面；所述第一表面上设置有外延层，所述第二表面上设置有周期性的蓝宝石蛾眼结构，且所述蓝宝石蛾眼结构的周期为3～5μm，高度为1～3μm，鼓包底宽为2～3μm。所述蛾眼结构深紫外发光二极管使光提取效率大大增加，有效提高了深紫外发光二极管的性能，且解决了制备过程中存在损伤的问题。
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公开(公告)号：CN110379903A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910693448.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体元器件的技术领域。提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层。本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
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