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公开(公告)号：CN107843567A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710984212.1
申请日：2017-10-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置，其中，光源发射的光线透过偏振模块形成偏振光，偏振光射在待测半导体上，分光光栅使透射出待测半导体的光线转化为待测半导体的透射光谱，光谱仪测量待测半导体的透射光谱；旋转偏振模块，光谱仪测量待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱；根据待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱计算待测半导体面内不同偏振角度的禁带宽度。有益效果：通过分析待测半导体透射光谱中因电子从不同价带跃迁至导带具备的不同吸收特性，利用光源、偏振模块、样品座、分光光栅、光谱仪即可测量半导体禁带宽度面内各向异性，其中光源不需要采用激光光源，成本较低。
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公开(公告)号：CN109437364B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811140313.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯，包括杯身、杯盖，所述杯盖活动设置于所述杯身上，所述杯盖上还设有固定座、UVC‑LED光源、石英柱、电解组件，所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B，所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中，所述UVC‑LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方，所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能，同时使得电器部件可放置于密闭空间中，而电解组件放置于开放空间中，UVC‑LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。
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公开(公告)号：CN109524526A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种新型深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N-AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种新型深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN114108082A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409834.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法，所述方法包括步骤：准备MOCVD反应室及蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上沉积第一厚度的AIN缓冲层；在所述AIN缓冲层上生长第二厚度的AIN模板；在所述AIN模板上形成预设周期的量子阱结构；在所述量子阱结构上生长第三厚度的AIN帽层；从所述蓝宝石衬底的背面抛光减薄至预设厚度；在所述蓝宝石衬底上形成隐形凹槽；沿所述隐形凹槽方向在所述蓝宝石衬底上形成光泵浦激光条。本申请提供的一种超薄GaN量子阱深紫外激光器制备方法及深紫外激光器将多周期超薄GaN量子阱作为深紫外激光器的增益区，该量子阱具有较高的辐射发光效率，同时具备横电(TE)模式的偏振特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524526B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N‑AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN109437364A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811140313.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯，包括杯身、杯盖，所述杯盖活动设置于所述杯身上，所述杯盖上还设有固定座、UVC-LED光源、石英柱、电解组件，所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B，所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中，所述UVC-LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方，所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能，同时使得电器部件可放置于密闭空间中，而电解组件放置于开放空间中，UVC-LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。
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公开(公告)号：CN112510043B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202011389019.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片领域公开了一种深紫外LED集成芯片及其制备方法，该芯片是以单一一片外延生长有AlGaN外延片的晶圆衬底为基底，集成有至少2个PN结单元；每一个PN结单元作为一个深紫外LED发光单元，能够实现发光波长λ
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公开(公告)号：CN112510043A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011389019.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片领域公开了一种深紫外LED集成芯片及其制备方法，该芯片是以单一一片外延生长有AlGaN外延片的晶圆衬底为基底，集成有至少2个PN结单元；每一个PN结单元作为一个深紫外LED发光单元，能够实现发光波长λ
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公开(公告)号：CN214343545U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202023014763.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于UVC LED的便携式杀菌消毒装置，属于消毒设备技术领域，包括盒体和盖体，所述盒体与所述盖体扣合形成消毒腔室；所述盖体的内表面设有多块基板，所述基板朝向所述消毒腔室的一面设有紫外光发射模块，所述紫外光发射模块由多个UVC LED灯珠排列组成。本实用新型的消毒装置适用于深紫外LED的杀菌消毒应用场景，通过破坏微生物的DNA和RNA并阻止其繁殖，从而实现高效快速的杀菌；将深紫外LED灯珠以一定的方式贴合于散热良好的金属基板上，集成大功率LED，装置小巧，结构紧凑，可实现高效杀菌。
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