-
公开(公告)号：CN116312713A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310331883.3
申请日：2023-03-30
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于DRAM外围晶体管的短期偏压温度不稳定性分析方法，属于DRAM外围器件可靠性问题分析领域。本发明对待分析晶体管进行实验，区分出不同的陷阱类型，利用仿真计算得到任意电压、温度、时间下的不同陷阱的老化量。本发明解决了传统缺陷分析技术的短板，可以测量并分离最短在ns量级捕获或者释放载流子的陷阱，对于开发工作在GHz的DRAM的可靠性模型以及可靠性模拟电路具有重大意义；此外本发明的测试方案操作性强、容易实施，并且基于底层缺陷参数和相应物理理论完成最终BTI退化量预测，结果更加准确、可靠。
-
公开(公告)号：CN115495909A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211162708.8
申请日：2022-09-23
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 上海交通大学 , 北京大学
IPC: G06F30/20 , G06Q10/04 , G06F17/10 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下(Vg/Vd不同组合)器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。
-
公开(公告)号：CN120033072A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510174887.4
申请日：2025-02-18
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种介电材料的掺杂改性方法，属于介电材料的改性技术领域。本发明在金属电极和铪基薄膜的界面体系中，在铪基薄膜下对其界面进行电负性较弱的金属元素掺杂改性。本发明以TiN为金属层形成金属电极，以HZO为半导体层，在其接触界面淀积一层掺杂元素层，通过ALD方法在金属电极上沉积电负性较弱的金属Ca作为掺杂元素层，在掺杂元素层上沉积HZO半导体层，并通过快速热退火处理使掺杂元素层与界面充分反应，最后采用溅射沉积方法在半导体层上沉积TiN金属层形成顶电极，从而实现界面掺杂改性。本发明在保持TiN/HZO界面体系在小尺寸下的优势的同时，通过界面掺杂进一步提升肖特基势垒，降低漏电流，从而改善器件整体性能。
-
公开(公告)号：CN119997596A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124629.5
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。
-
公开(公告)号：CN119153404B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411135779.8
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分靠近衬底；刻蚀源漏区域内的有源结构，并在第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构，源漏区域包括第一源漏区域和第二源漏区域，第一源漏区域与第一部分对应，第二源漏区域与第二部分对应；基于第二源漏区域，形成第一晶体管的第一源漏结构和第一源漏金属；对第一晶体管进行倒片并去除衬底；通过材料的选择性刻蚀填充结构，以暴露第一源漏区域；基于第一源漏区域，形成第二晶体管的第二源漏结构和第二源漏金属。本申请可以实现正背面晶体管的完全自对准。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995776B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410057642.9
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H10D62/10 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，中间介质隔离层用于隔离第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构和第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管。通过本申请，可以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。
-
公开(公告)号：CN118073279B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410178542.1
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H10D84/03 , H10D84/83 , H01L23/528 , H01L23/48 , H05K1/18
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。
-
公开(公告)号：CN118352341B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410298110.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。
-
公开(公告)号：CN118315343B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410442420.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。
-
公开(公告)号：CN119730364A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411581005.8
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀位于源漏区域内的第一半导体结构和第二半导体结构，并在第一半导体结构对应的第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构；通过前道工艺，基于第二半导体结构，形成第三半导体结构，第三半导体结构包括第一源漏结构；倒片并去除衬底和填充结构，以暴露第一半导体结构，基于第一半导体结构，形成第四半导体结构，第四半导体结构至少包括第二源漏结构；基于第三半导体结构和第四半导体结构，多次倒片分别形成第一晶体管和第二晶体管。本申请通过多次倒片的方式，提高了整体器件制备过程的热预算。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
247
records
(took 0.042 seconds)
