公开(公告)号：CN120033072A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510174887.4

申请日：2025-02-18

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王润声 ,  纪志罡 ,  王达 ,  任鹏鹏

IPC: H01L21/28 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明提供了一种介电材料的掺杂改性方法，属于介电材料的改性技术领域。本发明在金属电极和铪基薄膜的界面体系中，在铪基薄膜下对其界面进行电负性较弱的金属元素掺杂改性。本发明以TiN为金属层形成金属电极，以HZO为半导体层，在其接触界面淀积一层掺杂元素层，通过ALD方法在金属电极上沉积电负性较弱的金属Ca作为掺杂元素层，在掺杂元素层上沉积HZO半导体层，并通过快速热退火处理使掺杂元素层与界面充分反应，最后采用溅射沉积方法在半导体层上沉积TiN金属层形成顶电极，从而实现界面掺杂改性。本发明在保持TiN/HZO界面体系在小尺寸下的优势的同时，通过界面掺杂进一步提升肖特基势垒，降低漏电流，从而改善器件整体性能。

公开(公告)号：CN116312713A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310331883.3

申请日：2023-03-30

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 王润声 ,  纪志罡 ,  王达 ,  任鹏鹏

IPC: G11C29/08 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种应用于DRAM外围晶体管的短期偏压温度不稳定性分析方法，属于DRAM外围器件可靠性问题分析领域。本发明对待分析晶体管进行实验，区分出不同的陷阱类型，利用仿真计算得到任意电压、温度、时间下的不同陷阱的老化量。本发明解决了传统缺陷分析技术的短板，可以测量并分离最短在ns量级捕获或者释放载流子的陷阱，对于开发工作在GHz的DRAM的可靠性模型以及可靠性模拟电路具有重大意义；此外本发明的测试方案操作性强、容易实施，并且基于底层缺陷参数和相应物理理论完成最终BTI退化量预测，结果更加准确、可靠。

公开(公告)号：CN115495909A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211162708.8

申请日：2022-09-23

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 纪志罡 ,  王达 ,  王润声 ,  任鹏鹏

IPC: G06F30/20 ,  G06Q10/04 ,  G06F17/10 ,  G06F119/04 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下(Vg/Vd不同组合)器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。