公开(公告)号：CN118073279B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202410178542.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  江循 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  林亦波 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。

公开(公告)号：CN118073279A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410178542.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  江循 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  林亦波 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。

公开(公告)号：CN117371371A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311273502.7

申请日：2023-09-28

Applicant: 无锡北京大学电子设计自动化研究院

Inventor： 林亦波 ,  郭资政 ,  张作栋 ,  江循 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/327

Abstract: 本申请涉及一种电路门级逻辑仿真方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：对仿真电路的逻辑单元库进行预处理，获得逻辑扩展状态表；根据预设处理算法对仿真电路进行并行分析，获得目标并行计算方案；基于目标并行计算方案和逻辑扩展状态表进行仿真，获得目标逻辑仿真结果。采用本方法能够实现了灵活、通用的并行门级逻辑仿真、节省仿真计算的成本以及加快并行计算的执行效率。