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公开(公告)号：CN2641647Y
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03200903.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 北京科技大学 , 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京中科科仪技术发展有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。
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公开(公告)号：CN1245608C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于：磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成，磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米；磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成；本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1356559A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于:由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN1234017C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度，同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN1433093A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02100349.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。
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公开(公告)号：CN1356531A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1328260A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01118727.1
申请日：2001-06-08
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 上海数康生物科技有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/543
Abstract: 本发明提供了一种生物集成免疫芯片、电信号检出接口及其制作方法。把在两块基片上的金属薄膜制成多个有一定形状、面积和间隔的电极、与各个电极相连接的引线和与各个引线相连接的外接测量端子。在电极上吸附有生物免疫抗体。吸附有生物免疫抗体的各个电极一一面对面、准确定位放置并封装在一个三面封闭、一面敞开的U字型墙壁构成的容器室内。采用挠性线路板与橡胶板组合成专用电信号检出接口。优点在于检测快速、准确。
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公开(公告)号：CN115855302B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211538489.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于拉曼散射技术的测量粉末材料微区温度的方法，包括以下步骤：S1、采集参比材料粉末微区温度的拉曼光谱，根据所述参比材料的拉曼频移随温度的变化关系，得到线性拟合公式；S2、将所述参比材料与待测材料均匀混合并放置于拉曼测量载物台上；S3、对混合材料进行激光照射或加热，实时采集所述混合材料在微区温度的拉曼光谱；S4、当激光能量达到某一数值时，采集的混合材料的拉曼信号发生突变，将突变后的参比材料的拉曼频移数值代入步骤S1得到的线性拟合公式中，得到所述待测材料的热分解温度。该方法采用拉曼信号强、热稳定性良好的参比材料与待测材料均匀混合，通过参比材料的拉曼频移获得材料原位点的温度。
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公开(公告)号：CN111398171A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010221903.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种检测装置及检测方法，该检测装置包括光源模块、光路模块、信号处理模块和控制模块。控制模块分别与光源模块、光路模块和信号处理模块连接，用于控制和调整光源模块、光路模块和信号处理模块。该检测装置应用于风洞环境实验，在该环境实验中，通过激光来检测待测样品在高温高速气流作用下的氧化烧蚀产物和相变过程，激光测量不会影响待测样品的表面温度，不会对待测样品表面造成额外的损伤，精度高、测量范围大、检测时间短，具有较高的空间分辨率。且该检测装置通过控制模块控制和调整光源模块、光路模块和信号处理模块，使该检测装置在检测的同时能够有效地排除黑体辐射背景的影响以及其它干扰因素，确保测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN103264166A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310224974.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料科学以及激光拉曼检测技术领域，具体涉及一种银纳米片厚度可控的自组装银球表面增强拉曼SERS基底的制备方法。该方法以硝酸银为银源，以L-抗坏血酸为还原剂，通过添加一种有机酸，并控制其加入量，在冰浴中（2～5℃）反应2～15分钟，得到厚度在20nm到110nm可控的银纳米片自组装成的银微球。该方法制备的银纳米片自组装的银微球除具备一般纳米材料高比表面积的特征外，还具备表面银纳米片厚度可控，表面粗糙度成系列、可比的特点，这种银纳米片自组装成的银微球是活性很好的表面增强拉曼基底，还有望应用在表面增强荧光和光催化方面。
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