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公开(公告)号：CN1800027A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610011277.X
申请日：2006-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G1/02
Abstract: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法，属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为：采用液相法，将反应物分成A、B两部分，A置于反应区，而与A不互溶的溶液E置于非反应区，反应区与非反应区将自动分层。在水平施加交变电场和垂直施加静电场和梯度磁场后，加入B开始生成磁性纳米颗粒，其在交变电场作用下振荡，由于垂直方向上方向相反的库仑力和磁力作用，颗粒粒径小时被束缚在反应区中，当粒径超过临界尺度时，磁力吸引颗粒迅速脱离反应区进入非反应区，从而达到控制颗粒粒径的目的。本发明方法的优点是：可以精确地控制磁性纳米颗粒的粒径；适合在科学研究和工业生产中精确控制磁性纳米颗粒粒径的大小。
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公开(公告)号：CN1799732A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200610011278.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F9/00
Abstract: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法，属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为：采用液相法，将反应物分成A、B两部分，A置于反应区，而与A不互溶的溶液E置于非反应区，反应区与非反应区将自动分层。在水平施加交变电场和垂直施加静电场和梯度磁场后，加入B开始生成磁性纳米颗粒，其在交变电场作用下振荡，由于垂直方向上方向相反的库仑力和磁力作用，颗粒粒径小时被束缚在反应区中，当粒径超过临界尺度时，磁力吸引颗粒迅速脱离反应区进入非反应区，从而达到控制颗粒粒径的目的。本发明方法的优点是：可以精确地控制磁性纳米颗粒的粒径；适合在科学研究和工业生产中精确控制磁性纳米颗粒粒径的大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101363903B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2-10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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公开(公告)号：CN100372637C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610011278.4
申请日：2006-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: B22F9/00
Abstract: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法，属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为：采用液相法，将反应物分成A、B两部分，A置于反应区，而与A不互溶的溶液E置于非反应区，反应区与非反应区将自动分层。在水平施加交变电场和垂直施加静电场和梯度磁场后，加入B开始生成磁性纳米颗粒，其在交变电场作用下振荡，由于垂直方向上方向相反的库仑力和磁力作用，颗粒粒径小时被束缚在反应区中，当粒径超过临界尺度时，磁力吸引颗粒迅速脱离反应区进入非反应区，从而达到控制颗粒粒径的目的。本发明方法的优点是：可以精确地控制磁性纳米颗粒的粒径；适合在科学研究和工业生产中精确控制磁性纳米颗粒粒径的大小。
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公开(公告)号：CN100457633C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610011277.X
申请日：2006-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G1/02
Abstract: 本发明提供了一种采用液相法生长铁磁性金属纳米颗粒过程中控制颗粒粒径的方法，属于磁性纳米材料技术领域。工艺步骤为：采用液相法，将反应物分成A、B两部分，A置于反应区，而与A不互溶的溶液E置于非反应区，反应区与非反应区将自动分层。在水平施加交变电场和垂直施加静电场和梯度磁场后，加入B开始生成磁性纳米颗粒，其在交变电场作用下振荡，由于垂直方向上方向相反的库仑力和磁力作用，颗粒粒径小时被束缚在反应区中，当粒径超过临界尺度时，磁力吸引颗粒迅速脱离反应区进入非反应区，从而达到控制颗粒粒径的目的。本发明方法的优点是：可以精确地控制磁性纳米颗粒的粒径；适合在科学研究和工业生产中精确控制磁性纳米颗粒粒径的大小。
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公开(公告)号：CN103264166A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310224974.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料科学以及激光拉曼检测技术领域，具体涉及一种银纳米片厚度可控的自组装银球表面增强拉曼SERS基底的制备方法。该方法以硝酸银为银源，以L-抗坏血酸为还原剂，通过添加一种有机酸，并控制其加入量，在冰浴中（2～5℃）反应2～15分钟，得到厚度在20nm到110nm可控的银纳米片自组装成的银微球。该方法制备的银纳米片自组装的银微球除具备一般纳米材料高比表面积的特征外，还具备表面银纳米片厚度可控，表面粗糙度成系列、可比的特点，这种银纳米片自组装成的银微球是活性很好的表面增强拉曼基底，还有望应用在表面增强荧光和光催化方面。
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公开(公告)号：CN101363903A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2－10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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