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公开(公告)号：CN115855302B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211538489.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于拉曼散射技术的测量粉末材料微区温度的方法，包括以下步骤：S1、采集参比材料粉末微区温度的拉曼光谱，根据所述参比材料的拉曼频移随温度的变化关系，得到线性拟合公式；S2、将所述参比材料与待测材料均匀混合并放置于拉曼测量载物台上；S3、对混合材料进行激光照射或加热，实时采集所述混合材料在微区温度的拉曼光谱；S4、当激光能量达到某一数值时，采集的混合材料的拉曼信号发生突变，将突变后的参比材料的拉曼频移数值代入步骤S1得到的线性拟合公式中，得到所述待测材料的热分解温度。该方法采用拉曼信号强、热稳定性良好的参比材料与待测材料均匀混合，通过参比材料的拉曼频移获得材料原位点的温度。
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公开(公告)号：CN111398171A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010221903.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种检测装置及检测方法，该检测装置包括光源模块、光路模块、信号处理模块和控制模块。控制模块分别与光源模块、光路模块和信号处理模块连接，用于控制和调整光源模块、光路模块和信号处理模块。该检测装置应用于风洞环境实验，在该环境实验中，通过激光来检测待测样品在高温高速气流作用下的氧化烧蚀产物和相变过程，激光测量不会影响待测样品的表面温度，不会对待测样品表面造成额外的损伤，精度高、测量范围大、检测时间短，具有较高的空间分辨率。且该检测装置通过控制模块控制和调整光源模块、光路模块和信号处理模块，使该检测装置在检测的同时能够有效地排除黑体辐射背景的影响以及其它干扰因素，确保测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN103264166A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310224974.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料科学以及激光拉曼检测技术领域，具体涉及一种银纳米片厚度可控的自组装银球表面增强拉曼SERS基底的制备方法。该方法以硝酸银为银源，以L-抗坏血酸为还原剂，通过添加一种有机酸，并控制其加入量，在冰浴中（2～5℃）反应2～15分钟，得到厚度在20nm到110nm可控的银纳米片自组装成的银微球。该方法制备的银纳米片自组装的银微球除具备一般纳米材料高比表面积的特征外，还具备表面银纳米片厚度可控，表面粗糙度成系列、可比的特点，这种银纳米片自组装成的银微球是活性很好的表面增强拉曼基底，还有望应用在表面增强荧光和光催化方面。
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公开(公告)号：CN101363903A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810222312.1
申请日：2008-09-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器，属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成，在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线，铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间，内径d小于外径D，环宽范围在5纳米到1微米之间，纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下，其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化，制作非常简单，输出信号大，响应快速，特别适合于检测磁场变化的阈值，在磁场转变点的磁场灵敏度极高，可达2－10％/Oe或更高，同时该传感器还可作为磁存储单元。
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公开(公告)号：CN1245608C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于：磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成，磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米；磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成；本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，减少其信号处理电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1356559A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于:由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN114062345B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202111283848.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种原位测量材料在极端条件下相变或氧化烧蚀产物成分的方法，该方法通过搭建的极端条件综合拉曼测量系统，针对性地对极端条件氧化烧蚀实验条件下拉曼测量存在的技术难题进行了设计和优化，可对极端条件氧化烧蚀过程中的样品进行通常难以实现的拉曼光谱原位采集，尤其是应用在诸如大型风洞、航空发动机试车台等特殊环境下；同时，配合温度测量和图像采集，实现了一种新的对材料氧化烧蚀过程的原位测量方法。本发明适用于光谱检测技术领域。
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公开(公告)号：CN105784002B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610321792.1
申请日：2016-05-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种温度压力测量装置及测试方法，能够实现大范围的温度测量且测量结果可靠性高。所述装置包括：激光光源模块、拉曼光纤探头、拉曼信号处理模块、控制模块；其中，所述拉曼光纤探头包括：光纤本体及在该光纤本体的末端端面上镀有的拉曼活性材料薄膜；所述拉曼光纤探头，用于接收所述激光光源模块产生的所述激光，所述激光入射到所述光纤本体末端的拉曼活性材料薄膜上激发所述拉曼活性材料的拉曼散射信号产生散射光；所述拉曼信号处理模块，用于对所述散射光进行处理，得到拉曼光谱；所述控制模块，用于对所述拉曼光谱进行分析，得到所述拉曼活性材料的温度和压力信息。本发明适用于光纤传感测量技术领域。
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公开(公告)号：CN105806520A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610330713.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电阻应变式压力传感器，包括：压力敏感元件、金属外筒、集成电路芯片和电缆，所述压力敏感元件和所述集成电路芯片通过所述电缆相连，并设置于所述金属外筒内部；靠近所述压力敏感元件的所述金属外筒的第一筒身部分的第一内径小于靠近所述集成电路芯片的所述金属外筒的第二筒身部分的第二内径；靠近所述第一筒身部分的金属外筒的底部设置有第一塞部，所述第一塞部上均匀设置传压孔以连通所述金属外筒的内部和外部。根据本发明的电阻应变式压力传感器，可以在?200℃至1200℃的气体环境中测量压力，使用温度范围广、测试精度高、重复度好；同时，所述电阻应变式压力传感器可灵活地固定在被测的固体结构构件上，空间利用充分、操作方便。
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公开(公告)号：CN1315641C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410009912.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: B32B15/04
Abstract: 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比，其中面心立方结构所占的比例在0至100%之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒，晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜，用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于：通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理，调节薄膜中不同结晶结构比例，获得相应的物理特性。由于温度控制容易，所以制备工艺稳定、制备方法简单。
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