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公开(公告)号：CN1234017C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于：由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成，各芯片的磁场敏感方向相互垂直；磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成；磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度，同时具有复位和防退磁功能。
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公开(公告)号：CN1433093A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02100349.1
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁敏电阻金属薄膜。其特征在于：由基片(1)及在基片上生成的磁性金属合金薄膜(2)组成，其磁性金属合金薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米，含有5－30at％原子百分比氧，具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒，结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度为10－1000纳米。基片(1)可以是塑料、聚四合物高分子材料，也可以是玻璃、二氧化硅等非晶态材料，也可以是微晶玻璃，也可以是氧化镁、氧化铝、氧化锌、钛酸钡、钛酸铅、锆酸铅、钛酸锆酸铅、钛酸锆酸镧酸铅金属氧化物材料，还可以是硅、砷化镓等半导体材料；磁性金属合金薄膜(2)可以是镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金或铁钴镍构成的三元合金。本发明的优点是磁敏电阻金属薄膜材料具有高于4％的各向异性磁电阻变化率，并且具有高的磁场灵敏度。
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公开(公告)号：CN1356531A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于:磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成,磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米－1毫米;磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成;本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性,减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1245608C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134692.2
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁敏电阻芯片的磁编码器。其特征在于：磁编码器由敏感元件磁隧道结磁敏电阻芯片(15)和被充磁的磁鼓(16)构成，磁隧道结磁敏电阻芯片(15)中的磁敏电阻感应部分(10)与磁鼓(16)之间的距离为10微米-1毫米；磁隧道结磁敏电阻芯片(15)由基片(1)、在基片(1)上生成的能够产生偏置磁场的部分(5)以及在能够产生偏置磁场的部分(5)上生成的磁敏电阻感应部分(10)组成；本发明的优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，减少其信号处理电路。
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公开(公告)号：CN1356559A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01134693.0
申请日：2001-11-13
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用磁隧道结磁电阻材料的三维微弱磁场检测器件。其特征在于:由三维交叉放置的三组相同的磁隧道结磁电阻芯片(15)组成,各芯片的磁场敏感方向相互垂直;磁隧道结磁电阻芯片(15)由基片(1)和在其上生成的产生偏置磁场的导电薄膜条部分(12)和产生复位功能的导电薄膜条部分(13)以及磁隧道结磁电阻感应部分(14)构成;磁隧道结磁电阻感应部分(14)由磁隧道结和电信号输出电极以及电极引线构成。本发明的优点是对磁场的大小和方向具有高的灵敏度,同时具有复位和防退磁功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1118682C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01102651.0
申请日：2001-02-08
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
IPC: G01C9/12
Abstract: 本发明提供了一种自重摆式磁敏电阻倾斜角传感器，用轴承(16)(16’)将转轴(15)固定在摆锤固定架(17)上，转轴两端分别安装摆锤(14)和永磁体(21)，采用磁敏电阻芯片(20)通过圆锥梢面(23)定位同心联接。摆锤固定架密封于充满阻尼油(18)带有小孔(27)的隔板(24)下侧与端盖(19)和外壳(28)之中，隔板(24)上侧部分填充阻尼油(25)并保留一定的空隙(26)。其优点在于：传感器定位同心度高，反应灵敏，抗振稳定性提高，温度特性好，小型化、成本低。
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公开(公告)号：CN1328260A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01118727.1
申请日：2001-06-08
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 上海数康生物科技有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/543
Abstract: 本发明提供了一种生物集成免疫芯片、电信号检出接口及其制作方法。把在两块基片上的金属薄膜制成多个有一定形状、面积和间隔的电极、与各个电极相连接的引线和与各个引线相连接的外接测量端子。在电极上吸附有生物免疫抗体。吸附有生物免疫抗体的各个电极一一面对面、准确定位放置并封装在一个三面封闭、一面敞开的U字型墙壁构成的容器室内。采用挠性线路板与橡胶板组合成专用电信号检出接口。优点在于检测快速、准确。
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公开(公告)号：CN1300933A
公开(公告)日：2001-06-27
申请号：CN01102651.0
申请日：2001-02-08
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司
IPC: G01C9/12
Abstract: 本发明提供了一种自重摆式磁敏电阻倾斜角传感器,用轴承(16)(16’)将转轴(15)固定在摆锤固定架(17)上,转轴两端分别安装摆锤(14)和永磁体(21),采用磁敏电阻芯片(20)通过圆锥梢面(23)定位同心联接。摆锤固定架密封于充满阻尼油(18)带有小孔(27)的隔板(24)下侧与端盖(19)和外壳(28)之中,隔板(24)上侧部分填充阻尼油(25)并保留一定的空隙(26)。其优点在于:传感器定位同心度高,反应灵敏,抗振稳定性提高,温度特性好,小型化、成本低。
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公开(公告)号：CN2641647Y
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03200903.8
申请日：2003-01-14
Applicant: 北京科技大学 , 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京中科科仪技术发展有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供了一种薄膜生长过程原位动态特性监测实验装置。由真空控制部分、直流溅射镀膜部分和测量部分组成。其真空控制部分由机械泵、真空测量规和真空度显示仪表组成；直流溅射镀膜部分由镀膜用的靶材、安放衬底的衬底架和直流溅射电源组成。镀膜用的靶材和安放衬底的衬底架放置在直流溅射镀膜室中；测量部分由用于同衬底的电流输入电极相连接的电流输入接头、用于同衬底的电压输出电极相连接的电压输出接头、恒流源、电流表和电压表组成。衬底上将预先制备有电流输入电极和电压输出电极，二者的相对位置是：电流输入电极在外侧，电压输出电极在内侧。优点是：清楚地反映薄膜生长过程的动态特性，价格低廉、操作简单。
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公开(公告)号：CN2630798Y
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03236973.5
申请日：2003-01-30
Applicant: 北京科大天宇微电子材料技术开发有限公司 , 北京科技大学
IPC: G01D5/243
Abstract: 本实用新型提供了一种采用自旋阀或金属多层膜巨磁电阻薄膜为敏感材料，由巨磁电阻敏感元件芯片(1)、多极充磁的塑料粘接永磁体磁鼓(2)、信号处理电路的线路板(3)及连接固定机械结构(4)构成。将巨磁电阻敏感元件芯片与磁鼓保持一定间隙、沿圆型磁鼓的径向安装。随着磁鼓的转动，巨磁电阻敏感元件芯片感受到磁鼓具有的磁场强弱的变化，并转变成电桥输出电压的变化。经过信号处理，变成高低电位变化的矩形方波脉冲输出信号，构成轴输出、孔输出和与电动机一体化的磁编码器。其优点是提高磁编码器的灵敏度、温度稳定性，信噪比大，易于后续电信号处理和低成本化。
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