-
公开(公告)号：CN100395378C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510086580.1
申请日：2005-10-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，属于直流等离子体技术领域。大颗粒单晶金刚石是在5-100kW直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为10-2-10-1Pa，充入反应气体后，沉积腔的压强在100-104Pa之间，充入的反应气体为Ar、H2和CH4，流量分别为：Ar为1-3slm；H2为4-8slm；CH4为100-300sccm。等离子体的成分为H、CH、C2激元；基材为 ±30°晶体取向的单晶金刚石；基材在制备中过程中温度始终保持在950-1100℃之间。本发明的优点在于：提供了一条快速制备单晶金刚石的途径，使单晶制备速度达到30-40mg/h。
-
公开(公告)号：CN100335677C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410101845.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于：寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高，显著的改善金刚石涂层质量。
-
公开(公告)号：CN1632166A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101845.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于：寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高，显著的改善金刚石涂层质量。
-
公开(公告)号：CN1275637A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN99107912.4
申请日：1999-06-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于硬质合金工具耐磨涂层的金刚石－Co－B化合物复合涂层和相应的制备方法。该复合涂层的特征在于在硬质合金上,形成以Co－B化合物为主的过渡层和以金刚石涂层为耐磨涂层的复合涂层。相应复合涂层的制备方法的特征在于,以硬质合金为基体,以固体、气体或液体渗硼方法制备以CoB化合物为主的过渡层,以化学气相沉积技术制备金刚石耐磨涂层。该复合涂层对硬质合金基体具有很好的附着力,这保证了相应的复合涂层硬质合金工具具有很好的使用性能。
-
公开(公告)号：CN1287418C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200310103181.2
申请日：2003-11-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/00 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1175127C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN01130903.2
申请日：2001-08-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种微波等离子体激励装置，由微波天线内导体(1)、陶瓷或玻璃等材料制成的介质管(2)、微波反射外导体(3)、以及微波能量输入及调节组件(4)所组成。可有效地扩展并控制等离子体的空间分布，从而实现金刚石涂层的大面积、三维空间的化学气相沉积。具有可控制性好、易于放大、热辐射能量适中、可维护性好的优点，可被用于工具的金刚石涂层的制备。
-
公开(公告)号：CN1142318C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN99107912.4
申请日：1999-06-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于硬质合金工具耐磨涂层的金刚石-Co-B化合物复合涂层和相应的制备方法。该复合涂层的特征在于在硬质合金上，形成以Co-B化合物为主的过渡层和以金刚石涂层为耐磨涂层的复合涂层。相应复合涂层的制备方法的特征在于，以硬质合金为基体，以固体、气体或液体渗硼方法制备以CoB化合物为主的过渡层，以化学气相沉积技术制备金刚石耐磨涂层。该复合涂层对硬质合金基体具有很好的附着力，这保证了相应的复合涂层硬质合金工具具有很好的使用性能。
-
公开(公告)号：CN1598047A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009500.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法，选择抗热震性好的高纯石墨做衬底，过度层采用两类热膨胀系数差异较大的化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo，形成双重过渡层；第一种过度层沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；第二种过渡层的过渡为易于生长金刚石的过渡层，沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；化合物或金属过渡层的沉积方法为化学气相沉积或物理气相沉积；在石墨衬底通过沉积双重过渡层，再沉积金刚石膜。本发明的优点在于不会产生衬底的穿透性裂纹，保持石墨衬底和沉积金刚石膜的完整。
-
公开(公告)号：CN1403625A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN01130903.2
申请日：2001-08-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种组合式微波等离子体激励装置，由微波天线内导体(1)、陶瓷或玻璃等材料制成的介质管(2)、微波反射外导体(3)、以及微波能量输入及调节组件(4)所组成。可有效地扩展并控制等离子体的空间分布，从而实现金刚石涂层的大面积、三维空间的化学气相沉积。具有可控制性好、易于放大、热辐射能量适中、可维护性好的优点，可被用于工具的金刚石涂层的制备。
-
公开(公告)号：CN1329553C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410009500.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种制备大面积金刚石膜中抗裂纹的方法，选择抗热震性好的高纯石墨做衬底，过度层采用两类热膨胀系数差异较大的化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo，形成双重过渡层；第一种过度层沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；第二种过渡层的过渡为易于生长金刚石的过渡层，沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；化合物或金属过渡层的沉积方法为化学气相沉积或物理气相沉积；在石墨衬底通过沉积双重过渡层，再沉积金刚石膜。本发明的优点在于不会产生衬底的穿透性裂纹，保持石墨衬底和沉积金刚石膜的完整。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.018 seconds)
