公开(公告)号：CN1542905A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200310103181.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 唐伟忠 ,  赵中琴 ,  吕反修 ,  李成明 ,  陈广超 ,  佟玉梅

IPC: H01L21/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。

公开(公告)号：CN1287418C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200310103181.2

申请日：2003-11-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 唐伟忠 ,  赵中琴 ,  吕反修 ,  李成明 ,  陈广超 ,  佟玉梅

IPC: H01L21/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al2O3陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO2的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al2O3陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。