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公开(公告)号:CN100335677C
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200410101845.6
申请日:2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成;阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端;一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧;真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成;在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于:寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高,显著的改善金刚石涂层质量。
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公开(公告)号:CN1632166A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN200410101845.6
申请日:2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成;阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端;一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧;真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成;在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于:寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高,显著的改善金刚石涂层质量。
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公开(公告)号:CN1632165A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN200410101846.0
申请日:2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法。采取等离子体CVD技术,由含有氢、碳和硅元素的气体混合物为反应气体,在硬质合金工具上沉积含有金刚石相和硅的金刚石涂层;其中,硅是在金刚石涂层的CVD过程进行的同时,被沉积到金刚石涂层中以及金刚石涂层与硬质合金工具的界面处的;硅元素在金刚石涂层与硬质合金工具界面处的存在与富集使金刚石涂层对硬质合金工具形成高的附着力。所述的CVD技术包括:微波等离子体CVD技术、热丝CVD技术、直流电弧等离子体CVD技术。本发明的优点在于:有效地提高金刚石涂层的附着力并简化了涂层的制备工艺。
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公开(公告)号:CN2793101Y
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200420121006.6
申请日:2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本实用新型提供了一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置,由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成;阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端;一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧;真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成;在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本实用新型的优点在于:寿命与结构稳定性将可获得大幅度的改善并可靠性提高。
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