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公开(公告)号：CN1329553C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410009500.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种制备大面积金刚石膜中抗裂纹的方法，选择抗热震性好的高纯石墨做衬底，过度层采用两类热膨胀系数差异较大的化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo，形成双重过渡层；第一种过度层沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；第二种过渡层的过渡为易于生长金刚石的过渡层，沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；化合物或金属过渡层的沉积方法为化学气相沉积或物理气相沉积；在石墨衬底通过沉积双重过渡层，再沉积金刚石膜。本发明的优点在于不会产生衬底的穿透性裂纹，保持石墨衬底和沉积金刚石膜的完整。
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公开(公告)号：CN1632165A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101846.0
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法。采取等离子体CVD技术，由含有氢、碳和硅元素的气体混合物为反应气体，在硬质合金工具上沉积含有金刚石相和硅的金刚石涂层；其中，硅是在金刚石涂层的CVD过程进行的同时，被沉积到金刚石涂层中以及金刚石涂层与硬质合金工具的界面处的；硅元素在金刚石涂层与硬质合金工具界面处的存在与富集使金刚石涂层对硬质合金工具形成高的附着力。所述的CVD技术包括：微波等离子体CVD技术、热丝CVD技术、直流电弧等离子体CVD技术。本发明的优点在于：有效地提高金刚石涂层的附着力并简化了涂层的制备工艺。
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公开(公告)号：CN1632166A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410101845.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于：寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高，显著的改善金刚石涂层质量。
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公开(公告)号：CN100335677C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200410101845.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于：寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高，显著的改善金刚石涂层质量。
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公开(公告)号：CN1598047A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009500.8
申请日：2004-08-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法，选择抗热震性好的高纯石墨做衬底，过度层采用两类热膨胀系数差异较大的化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo，形成双重过渡层；第一种过度层沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；第二种过渡层的过渡为易于生长金刚石的过渡层，沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；化合物或金属过渡层的沉积方法为化学气相沉积或物理气相沉积；在石墨衬底通过沉积双重过渡层，再沉积金刚石膜。本发明的优点在于不会产生衬底的穿透性裂纹，保持石墨衬底和沉积金刚石膜的完整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2793101Y
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200420121006.6
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
Abstract: 本实用新型提供了一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置，由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本实用新型的优点在于：寿命与结构稳定性将可获得大幅度的改善并可靠性提高。
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公开(公告)号：CN200970858Y
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200620023026.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 北京科技大学
IPC: B28D5/04
Abstract: 一种金刚石膜剪切器，属于金刚石膜加工技术领域。包括：刀杆、刀头、压块和垫块四部分；其中，刀头和刀杆采用钎焊连接，压块和垫块具有同轴螺纹，彼此间采用螺栓连接。刀头和刀杆构成装置的滑动部件，可在压块的特定滑道上高速滑动，起高速冲击剪切的作用；压块和垫块构成装置的夹持部件，起夹持CVD金刚石膜片和稳定装置的作用。本实用新型的优点在于：由于采用冲击剪切的方法，避免了普通剪切要求被剪试样塑性变形的过程，使裂纹只沿剪切平面扩展，保证了切口的平直；由于压块和垫块的紧密压合，切口裂纹不能向非剪切部分扩展，保证了膜体质量不退化。并且装置简单，操作简便。
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公开(公告)号：CN2763249Y
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200520022774.0
申请日：2005-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型属于无机非金属材料领域，特别涉及一种应用在对金刚石膜片进行热化学抛光加工时所采用的夹持装置，尤其适于要求夹具做旋转运动的工况下使用。抛光夹具由齿轮(1)、键(2)、夹套(3)组成；夹套(3)放入齿轮(1)中，用键(2)连接。使用时将将金刚石膜片置入夹套之中，金刚石膜片与夹套间无固定约束，键与金刚石膜之间根据需要加不同重量的金属块，对金刚石膜施加载荷，齿轮和键同时作为载荷施加在陶瓷夹套上，保证陶瓷夹套和抛光盘紧密接触，减少夹具与抛光盘之间的空隙，从而避免金刚石膜片在旋转抛光过程中从夹具与抛光盘之间的空隙处滑脱，且金刚石膜片不随抛光夹具旋转，只是在金属块的压力下与抛光盘做平动运动，不会对金刚石膜造成损害。
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公开(公告)号：CN2932338Y
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200620023059.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种等离子体化学气相沉积法金刚石涂层的温度测量装置，属于金刚石涂层技术领域。包括：阴极部分、真空室、真空泵系统、压力测控装置、电源、阴极杆、阴极体、阳极、直流电弧弧柱、制品架、磁场线圈。在拉长的直流电弧弧柱(9)的周围装置有一金属圆环(14)，金属圆环(14)和其上焊接的异类金属导体(15)都具有较大的热容量；在圆周方向上，金属圆环(14)和其上的异类导体(15)间隔90度设置，保证其对设备几何中心的高度对称性。本实用新型的优点在于：利用结构上高度对称、同时又有较大的热容量的组合式温度测量装置，可克服使用直流电弧等离子体化学气相沉积装置对大量工件进行金刚石涂层时，涂层的沉积温度难于测量的技术难题。
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公开(公告)号：CN201063955Y
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200720103741.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H05H1/34
Abstract: 一种直流电弧喷射等离子体分束器，属于直流电弧喷射等离子技术领域。由遮蔽板、支杆、底座、封闭栓组成；在底座上安装可以调节高度的支杆，支杆上安置采用高熔点材料制成的遮蔽板，在遮蔽板上间隔开出可开闭的束流孔；遮蔽板(1)与封闭栓(2)采用间隙配合，遮蔽板(1)与支杆(3)也采用间隙配合，支杆(3)与底座(4)采用螺纹连接。本实用新型的优点在于，可以对直流电弧喷射等离子体进行分流和约束，使分流束中的等离子体均匀性得到改善，装置简单，操作简便，而且避免了电磁场和流场扰动对等离子体的影响。
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