公开(公告)号：CN102817074B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210256655.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 马志芳 ,  杨志坚 ,  张国义 ,  李丁 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  陈志忠 ,  于彤军 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  秦志新 ,  龙浩

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102817074A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210256655.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 马志芳 ,  杨志坚 ,  张国义 ,  李丁 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  陈志忠 ,  于彤军 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  秦志新 ,  龙浩

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102201332B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201110117438.4

申请日：2011-05-08

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 于彤军 ,  龙浩 ,  张国义 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  杨志坚

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。

公开(公告)号：CN102244162B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110196359.7

申请日：2011-07-14

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 于彤军 ,  龙浩 ,  贾传宇 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种LED的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：在衬底上形成由碳纳米管与InN或高In组分的InGaN外延层材料组成的过渡层；在上述过渡层上生长LED外延片；对LED外延片进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备正装结构LED；或转移衬底，对衬底进行激光剥离、分离，再进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备垂直结构LED。本发明不仅可以改善晶体质量，而且可以实现应力的调控。

公开(公告)号：CN102244162A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110196359.7

申请日：2011-07-14

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 于彤军 ,  龙浩 ,  贾传宇 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种LED的制备方法，属于光电子器件的制备领域。该方法包括如下步骤：在衬底上形成由碳纳米管与InN或高In组分的InGaN外延层材料组成的过渡层；在上述过渡层上生长LED外延片；对LED外延片进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备正装结构LED；或转移衬底，对衬底进行激光剥离、分离，再进行光刻、刻蚀、沉积电极、封装工艺，制备垂直结构LED。本发明不仅可以改善晶体质量，而且可以实现应力的调控。

公开(公告)号：CN102201332A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110117438.4

申请日：2011-05-08

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 于彤军 ,  龙浩 ,  张国义 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  杨志坚

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。