公开(公告)号：CN102817074A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210256655.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 马志芳 ,  杨志坚 ,  张国义 ,  李丁 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  陈志忠 ,  于彤军 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  秦志新 ,  龙浩

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102817074B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210256655.6

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司

Inventor： 马志芳 ,  杨志坚 ,  张国义 ,  李丁 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  陈志忠 ,  于彤军 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  秦志新 ,  龙浩

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法，在适当的退火条件下，对生长于衬底上的III族氮化物厚膜逐渐升高温度，同时利用在位应力监测系统监测其应力，当应力状态由负应力转变为正应力后，在高温下保持一段时间，然后逐渐降低温度，应力由正应力转变为负应力，循环重复该升温至降温的过程，直至III族氮化物厚膜与衬底分离。本发明通过热循环条件的调节，实现厚膜材料在特定位置的应力集中，在不断的应力正负切换过程中，使厚膜的特定位置发生形变，降低了特定位置界面结合强度，从而实现了厚膜自分离，可运用于GaN厚膜的分离，工艺简单可控，具有良好的应用前景。