公开(公告)号：CN102030327A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235202.3

申请日：2009-09-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王磊 ,  陈兴 ,  杜军 ,  屠海令 ,  黄立娟 ,  罗君

IPC: C01B33/021 ,  C01B33/023 ,  B82B3/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/14

Abstract: 一种硅纳米材料制备技术领域的脉冲激光烧蚀(PLA)合成一维硅纳米线的方法。首先采用不同Si、SiO和SiO2配比的粉末制备复合靶材，将其置于Al2O3陶瓷管中部旋转部件中心。对陶瓷管进行加热的同时，采用机械泵维持炉管内压力至10Pa。为了提高硅纳米线的合成效率，在热蒸发复合靶材同时，KrF准分子激光器对复合靶进行烧蚀，激光烧蚀过程通入惰性气体进行气相Si源输送，样品收集位于靶材后方。通过选择合适的靶成分、缓冲气压、缓冲气体种类、炉体温度调整纳米硅线的尺寸和表面形态。采用本发明可以直接在各种衬底上获得单晶结构的尺寸可控硅纳米线，能够直接应用于光电器件的组装，显著增加了硅纳米线应用前景。另外，采用本发明制备的直径约10nm、长度超过1μm的硅纳米线具有很好的光致发光特征。