公开(公告)号：CN119751052A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411921714.6

申请日：2024-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张晓 ,  唐斌 ,  杨成韬

IPC: C04B35/47 ,  H01P7/10 ,  H01P11/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明的目的是提供一种新型SrTiO3‑LaAlO3基微波介质陶瓷及其谐振子的制备工艺，其化学式为Sr(y‑z)CazTi1‑mCemO3‑xLa1‑nGanAlO3，其中0.7≤x≤1.15，0.98≤y≤1.01，0.05≤z≤0.15；0.001≤m≤0.01；0.001≤n≤0.015；空气中的烧结温度1500℃～1600℃，谐振频率为2.4～2.6Ghz，Q值为17700～19800，谐振频率温度系数0±5ppm/℃。该谐振子的烧结条件较为简单，烧结气氛为空气，性能上实现了较大提升，性能稳定，能够满足现代通信技术的应用要求，可以广泛应用于制备微波元器件例如微波介质谐振器。

公开(公告)号：CN119504256A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411682517.3

申请日：2024-11-22

Applicant: 浙江大学 ,  陕西煤业化工技术研究院有限责任公司

Inventor： 刘可凡 ,  洪子健 ,  黄玉辉 ,  吴勇军 ,  张豆豆 ,  李思懿

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种核壳结构的钛酸锶钡基高熵储能陶瓷，包括作为壳部的SiO2和作为芯部的高熵陶瓷粉体，高熵陶瓷粉体包括作为主相的钛酸锶钡和作为高熵掺杂相的钛酸铋钠钾。本发明还公开了一种核壳结构的钛酸锶钡基高熵储能陶瓷的制备方法，包括：将主相的碳酸盐原料和高熵掺杂相的碳酸盐或氧化物混合溶解，搅拌形成凝胶；除去凝胶中的有机组份；煅烧形成钙钛矿相，获得高熵陶瓷粉体；依次在酸性活化剂、弱酸性缓冲剂和弱碱性表面活性剂中分散后，加入硅源前体，加热形成包覆相SiO2；进行烧结，烧结后退火，得到最终产物。本发明提供的核壳结构的钛酸锶钡基高熵储能陶瓷能够同时提高陶瓷的极化强度和提高陶瓷的击穿场强。

公开(公告)号：CN119462128A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411486290.5

申请日：2024-10-23

Applicant: 中国建筑材料科学研究总院有限公司

Inventor： 姚忠樱 ,  常逸文 ,  任佳乐 ,  任瑞康 ,  张洪波 ,  旷峰华 ,  郭天丽 ,  崔鸽 ,  罗桂敏 ,  李昱蓓

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/472 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明是关于一种低介电损耗巨介电陶瓷及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：球磨：将钙钛矿类巨介电陶瓷粉体、分散介质和球磨介质装入球磨罐中进行球磨；造粒：给浆料添加聚乙烯醇水溶液进行造粒；陈腐：再加入去离子水均匀混合，然后陈腐，得到混合粉体；干压成型：采用磨具和压机，将混合粉体压制成一定厚度的片状陶瓷；冷等静压成型：对片状陶瓷进行冷等静压后处理，将圆片放置空气中静置后，再烘干；烧结：将片状陶瓷移入振荡烧结炉，使用大电流振荡压力烧结工艺，在不同的烧结阶段中施加振荡压力和大电流，降温后获得钙钛矿类巨介电陶瓷。采用本发明的制备方法能够获得的钙钛矿类巨介电陶瓷，具有高介电常数、低介电损耗的优点。

公开(公告)号：CN119361274A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411521884.5

申请日：2024-10-29

Applicant: 东莞易力禾电子有限公司

Inventor： 周斌扬 ,  宋和 ,  熊长和 ,  车高发

IPC: H01C17/28 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/90 ,  H01C17/30 ,  H01C17/00 ,  H01C7/10

Abstract: 本发明公开了Ni电极钛酸锶环形压敏电阻器的制备方法，具体包括1)将钛酸锶粉末干压成型为钛酸锶环形压敏电阻生瓷片；2)将生瓷片进行排胶和预烧；3)将排胶后的生瓷片在氮气和氢气等体积组成的混合气体还原性气氛中进行烧结，制成陶瓷基片；4)将陶瓷基片进行氧化热处理，表面形成一层氧化膜；5)将瓷片用丝印刷第一层镍浆，烘干后再用丝网印刷第二层银浆，烘干后在空气气氛下进行烧渗。本发明中，使用Ni浆取代欧姆银浆，在空气中烧结，成本较欧姆银浆大幅下降，使得后续的生产成本低；同时，镍浆与陶瓷基片之间可以形成牢固的结合，从而使得镍浆在陶瓷基片上具有更好的附着力，稳定性好，不易脱层。

公开(公告)号：CN119038987A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411274069.3

申请日：2024-09-12

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 蒲永平 ,  杨勇强

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 一种具有超高温度稳定性的高电阻介电陶瓷材料的制备方法及其制备方法，将MgO添加到Sr0.985Ho0.01TiO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到Sr0.985Ho0.01TiO3‑xwt%MgO(SHT‑xM)陶瓷样品。本发明提供的Sr0.985Ho0.01TiO3‑xwt%MgO超高温度稳定性介电陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，性能优异，提供了一种新的线性电介质陶瓷材料。

公开(公告)号：CN118851746A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410861326.7

申请日：2024-06-28

Applicant: 北京七星飞行电子有限公司

Inventor： 兰德慧 ,  袁峰 ,  刘成 ,  张艳茹 ,  张慧 ,  常安吉 ,  孔小龙 ,  胡睿霖 ,  吴毛毛

IPC: C04B35/47 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种高频低损耗高压陶瓷介质材料及其制备方法,其材料包括SrTiO3、CaTiO3、Bi2O3、TiO2、ZnO、CaSiTiO5、Mg3La2Ti6O18、ZrO2和MnCO3；制备该材料时，需先分别合成CaSiTiO5和Mg3La2Ti6O18，之后再将原料按比例混合。本发明以SrTiO3作为基体材料进行掺杂改性，通过掺杂少量CaSiTiO5和Mg3La2Ti6O18等原料制备的陶瓷电容器用瓷料，实现了耐直流电压>10kV/mm，介电常数最高>200，介电损耗 1012Ω·cm用于制备高频低损耗高压陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN118598653A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410634897.7

申请日：2024-05-21

Applicant: 中国原子能科学研究院

Inventor： 张俊峰 ,  于雪 ,  黄强 ,  李鑫 ,  罗洪义 ,  刘国辉 ,  秦少鹏 ,  张海旭 ,  李鑫酉 ,  刘明

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及钛酸锶热源芯块的制备方法，包括：采用湿法混合方式来混合碳酸锶和二氧化钛，得到浆料；对所述浆料进行干燥，然后进行第一热处理，得到混合物；对所述混合物进行冷压成型以获得生坯；以及，对所述生坯进行第二热处理，以得到所述钛酸锶芯块。在本申请的制备方法中，将钛酸锶转化过程缩减为混合、干燥、热处理三个步骤，大大缩减了工艺流程。并且，冷压成型可在油压机中进行，省去了相关的复杂设备和精密操作，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN118495944A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410959288.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 南通理工学院

Inventor： 毕孝国

IPC: C04B35/468 ,  B28B17/02 ,  B28B3/02 ,  B28B11/24 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷材料制备领域，公开了一种掺杂钛酸锶钡的压电陶瓷材料的制备方法，该压电陶瓷材料的化学通式为Ba1‑xSrxTiO3，其是由铁电材料BaTiO3和SrTiO3通过掺杂稀土元素并固相烧结制成，其中x代表锶Sr取代钡Ba的比例；具体包括相应的制备方法和成型设备。本发明通过成型机构将压制完毕的陶瓷件从成型机构中推送至出料位置，陶瓷件到达筛选机构位置，筛选机构负责对成型后的陶瓷件进行质量检测和筛选；整个压制成型的过程，通过成型、填充和筛选等环节的有序组合，实现了从粉料到成型件的转化过程，并在每一步都对陶瓷件的质量进行严格把控，以确保最终产品达到预期的性能和质量要求。

公开(公告)号：CN116573932B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202310643191.2

申请日：2023-06-01

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 初宝进 ,  田冬霞 ,  杨旭 ,  夏保举

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种可提高MTiO3陶瓷挠曲电响应的烧结制备方法，M为Ba和/或Sr，包括以下步骤：将MCO3和TiO2分别按MTiO3化学计量称量，混合，以乙醇为溶剂进行第一次球磨，烘干，在1100～1299℃下保温1～4h合成，得到第一次煅烧后的陶瓷块体；将所述陶瓷块体粉碎后，以乙醇为溶剂进行第二次球磨，第二次球磨后的浆料干燥后加入粘结剂，压制成型，之后在700～900℃下保温1～4h，得到排塑完成的MTiO3陶瓷坯体；将排塑完成的MTiO3陶瓷坯体放入管式炉，在H2和N2的混合气氛下，以0.1～15℃/min的速率升温至1200～1400℃保温1～4h，之后以0.1～30℃/min的速率降温至室温；得到直接还原烧结的MTiO3。

公开(公告)号：CN112979308B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011448458.5

申请日：2020-12-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/47 ,  C04B35/465 ,  C04B35/01 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种对于高温多湿的环境下的裂纹的产生能够发挥较高的抑制效果的电介质组合物。电介质组合物包含主相和Ca‑Si‑P‑O偏析相，主相包含以ABO3表示的主成分，A包含选自钙及锶中的至少任意一种，B包含选自锆、钛、铪及锰中的至少任意一种，Ca‑Si‑P‑O偏析相中至少包含钙、硅及磷。