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公开(公告)号：CN104746058A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310741266.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于金属基复合材料领域的一种包覆钨钼纳米膜层的金刚石及其制备方法，包括：1）取不同形状和尺度的金刚石，对其表面进行粗化处理；2）配制氧化钼与氧化钨的复合溶胶，可选择性的向复合溶胶中添加稳定剂；3）将金刚石放入复合溶胶中进行表面浸胶并干燥；4）进行氢热还原反应，形成金刚石基体/钨钼碳化物界面/钨钼合金的结构，包覆层厚度控制在纳米级。本方法工艺方法简单，氧化钼与氧化钨复合溶胶较单一氧化钨溶胶具有更好的稳定性和成膜性能，解决了高温氢热处理过程中溶胶膜易开裂的问题，产品表面包覆的膜层更均匀、膜层厚度更小，且可以降低复合材料界面热阻获得更高热导率，适于工业化制备金刚石增强金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN104726735A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310718961.1
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C1/10
Abstract: 本发明涉及一种具有复合式结构的高定向导热材料及其制备方法，属于热管理材料制备技术领域。该材料由封装材料和密封在封装材料中的高导热碳材料组成，高导热碳材料上镀覆金属层，封装材料与高导热碳材料之间由金属层连接，金属层与封装材料之间为冶金结合。将封装材料加工凹槽，放置镀覆有金属层的高导热材料，加工封装材料盖板，然后三者通过热压成一个具有复合式结构的高定向导热材料。本发明在现有的封装材料中密封高导热材料，并通过对高导热材料镀覆金属层，来改善高导热材料与封装材料界面结合问题。该类材料可以广泛应用在需要局部高效散热的于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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公开(公告)号：CN103895281A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210567802.1
申请日：2012-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于电子技术领域，特别涉及一种高导热绝缘层状复合材料及其制备方法。本发明的高导热绝缘层状复合材料经高导热材料与介电材料焊接而成，该复合材料除具有低密度、高强度、耐磨损、抗腐蚀的优良性能外，还兼具高导热材料导热率高，能够将电子器件中的热量快速散发出去，以及介电材料良好的电绝缘性和低介电系数等性质。因此采用焊接的方法将高导热材料与介电材料连接在一起的高导热绝缘层状复合材料用于同时要求具有高热导率、低介电常数、电绝缘性的应用场合。
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公开(公告)号：CN102487052A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010578977.3
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L23/373 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了封装组件技术领域的一种芯片衬底、热沉及基板一体化的复合材料封装组件及其制造方法。它解决了制约电子元件向高功率和小型化发展的散热瓶颈问题。主体为复合材料热沉，其上镀有导热绝缘层并且铺设线路层，使其兼具传统封装基板的散热通道、电气连接和物理支撑的功能。将芯片激光垂直剥离后置于带有绝缘层和线路层的复合材料热沉上，热沉与外部散热结构之间采用焊接方式连接。本发明实现了芯片衬底、热沉及基板的一体化，降低了产品的热阻，减少了封装组件的结构，不仅使芯片产生的热量能够快速散出，提高了产品的可靠性和使用寿命，同时实现了对封装器件小型化、轻量化的需求。
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公开(公告)号：CN101168807A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710178844.5
申请日：2007-12-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明属于电子封装材料制备技术领域，特别设计一种高导热铜基复合材料及其制备方法。该铜基复合材料由增强体和粘结剂经预制件的注射成形工艺，制成增强体预制件，其中增强体颗粒的尺寸为7～60μm，由碳化硅颗粒、金刚石颗粒或氮化铝颗粒中的一种或两种组成；将铜基体直接放在该增强体预制件上，其中铜基体为电解铜或无氧铜，增强体与铜基体的体积比为50－75％∶25－50％，经压力浸渗工艺制成。该制备方法采用预制件的注射成形工艺和压力浸渗工艺制成该高导热铜基复合材料。本发明中铜基复合材料的热导率均比相同增强体体系的铝基复合材料高，材料本身密度低，热膨胀系数小，满足了封装材料轻质量的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733399A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310723599.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于电子技术领域的一种层状高导热绝缘基板及其制备方法。本发明的高导热绝缘基板由高导热复合材料基体及其上沉积的绝缘膜层所组成，该高导热绝缘基板是在高导热复合材料的基础上采用物理或化学方法在其表面沉积绝缘薄膜制备而成。该绝缘基板除具有高导热、低热膨胀系数、高强度、良好的尺寸稳定性能外，还具有高击穿强度、高介电常数等性质。本发明中的高导热绝缘基板解决了电子封装基板在保持基材良好的散热基础上对绝缘作用的需求。
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公开(公告)号：CN103896282A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210572204.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅粉末压坯来制备氧化硅纳米线的方法。本发明中氧化硅纳米线的制备方法如下：将硅胶、硅油或硅脂与不含硅水基粘结剂进行混合形成复合粘结剂，该粘结剂加入单一粒度或多粒度配比的碳化硅颗粒粉末中混合均匀并装入石墨或金属模具中，加压制成不同厚度的预制块，预制块平放于耐高温板上，然后把耐高温板推入气氛热处理炉。RT~500℃时，无气氛保护，或采用压缩空气或吹入冷风以尽快除去水分及挥发份；炉温高于500℃时，通入惰性气体进行保护，最高温度为900℃~1200℃，保温1~5小时，即得到非晶的氧化硅纳米线，所得产物直径较细，长度达毫米级，同时可获得表面生长阳化硅纳米线的多孔碳化硅预制体。本制备方法不需添加有机金属化合物，简单易行，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
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公开(公告)号：CN102052342A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910236948.6
申请日：2009-10-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于钛合金材料及其制造技术领域的一种钛合金整体叶片盘及其制造方法。该整体叶片盘由轮盘和叶片组成，轮盘与叶片为一整体，其特征在于：所述轮盘由高强度钛合金组成，所述叶片由钛铝金属间化合物合金组成。所述轮盘与叶片之间的成分过渡为直接过渡。本发明利用激光逐层熔化堆积材料直接制备出具有阻燃和高温强度的近终形钛合金整体叶片盘，无需传统加工方法的多步热加工过程，显著减少加工量，提高材料的利用率和结构效率；轮盘具有高的塑性、强度及低周疲劳性能，叶片具有阻燃性能和高的高温强度和刚性，满足了压气机整体叶片盘在使用过程中对轮盘和叶片不同的性能要求。
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公开(公告)号：CN103882349B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210563340.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C47/14 , C22C47/04 , C22C49/14 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开了属于电子元器件复合材料制备技术领域的一种纳米碳纤维-铜复合材料的制备方法。此方法首先通过化学镀或电镀将纳米碳纤维镀覆一定体积分数的铜或铜-镍合金，在氢气中还原金属化的纳米碳纤维，之后将其通过热等静压或放电等离子体烧结制备纳米碳纤维-铜复合材料坯件，最后经过热轧开坯，冷轧达到纳米碳纤维的定向排布，最后制得纳米碳纤维-铜复合材料。制备的纳米碳纤维复合材料比铜密度低、热膨胀系数可调，平行纤维方向热导率高，可广泛用于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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公开(公告)号：CN103187131B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110448617.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种高导热绝缘复合材料及其制备方法，属于电子封装技术领域。该材料由高导热复合材料及镀于其上的绝缘层组成，高导热复合材料为增强颗粒或纤维与基体的复合材料，基体为铜、铝或银，绝缘层为金刚石、氮化铝或氮化硼等陶瓷膜，或者金刚石与氮化铝或氮化硼的复合膜。该复合材料是在高导热复合材料的基础上采用化学气相沉积技术在其表面沉积绝缘薄膜制备而成。本发明中的高导热绝缘复合材料解决了高导热复合材料在特定绝缘性能要求的应用场合的高导热绝缘的问题，适用于集成电路系统、高功率或高功率密度器件等。
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