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公开(公告)号：CN105728695A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410747927.1
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D18/02
Abstract: 本发明涉及一种具有复合式结构的高定向导热材料的制备方法，属于热管理材料制备技术领域。首先采用金属封装材料粉末制备金属粉末预制件，在预制件中埋入高导热碳材料；然后将预制件装入石墨模具中，熔炼同种金属封装材料，挤压铸造入预制件中；冷却，脱模后制得具有复合式结构的高定向导热材料。本发明将材料制备和界面改性在同一工艺步骤中完成，即改进了原有工艺中存在的高导热材料与密封金属材料之间机械接触，减少热阻，同时减少工艺环节。该材料可以广泛应用在需要局部高效散热的于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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公开(公告)号：CN105562660A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510926650.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D19/00 , C04B35/565 , C04B35/622
CPC classification number: B22D19/0072 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B2235/3821 , C04B2235/425 , C04B2235/658 , C04B2235/668 , C04B2235/94
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制造领域的一种IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板一体化制备方法。所述制备方法为：先加工一面带多个齿形孔的长方体模具和S形水冷管，将S形水冷管埋入碳化硅颗粒中压制成矩形板状坯体后，对其脱脂得到预制件；然后将预制件置于带多个齿形孔的长方体模具上表面后，将其放入压力溶渗模具中，并将铝合金溶液注入压力溶渗模具中，待其浸没预制件时，将压力溶渗模具加压至8MPa-20MPa，当其温度降至500℃以下时撤掉压力即可。由该制备方法获得的产品为一体化的IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板，工艺简单易于控制，制得产品能够为IGBT提供最佳的冷却效果，适于高功率密度IGBT产品使用。
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公开(公告)号：CN104733399A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310723599.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于电子技术领域的一种层状高导热绝缘基板及其制备方法。本发明的高导热绝缘基板由高导热复合材料基体及其上沉积的绝缘膜层所组成，该高导热绝缘基板是在高导热复合材料的基础上采用物理或化学方法在其表面沉积绝缘薄膜制备而成。该绝缘基板除具有高导热、低热膨胀系数、高强度、良好的尺寸稳定性能外，还具有高击穿强度、高介电常数等性质。本发明中的高导热绝缘基板解决了电子封装基板在保持基材良好的散热基础上对绝缘作用的需求。
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公开(公告)号：CN103896282A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210572204.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅粉末压坯来制备氧化硅纳米线的方法。本发明中氧化硅纳米线的制备方法如下：将硅胶、硅油或硅脂与不含硅水基粘结剂进行混合形成复合粘结剂，该粘结剂加入单一粒度或多粒度配比的碳化硅颗粒粉末中混合均匀并装入石墨或金属模具中，加压制成不同厚度的预制块，预制块平放于耐高温板上，然后把耐高温板推入气氛热处理炉。RT~500℃时，无气氛保护，或采用压缩空气或吹入冷风以尽快除去水分及挥发份；炉温高于500℃时，通入惰性气体进行保护，最高温度为900℃~1200℃，保温1~5小时，即得到非晶的氧化硅纳米线，所得产物直径较细，长度达毫米级，同时可获得表面生长阳化硅纳米线的多孔碳化硅预制体。本制备方法不需添加有机金属化合物，简单易行，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
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公开(公告)号：CN105695981B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201410709437.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛合金表面高韧性高硬度抗压涂层及其制备方法，属于金属表面涂层材料及其制备领域。该涂层由α‑Ti、TiCr2和TiC组成，TiC的含量为5‑10wt.％，TiCr2的含量为45‑60wt.％，其余为α‑Ti。首先制备Ti粉、Cr粉与TiC粉或Cr3C2粉的混合粉末，然后采用激光熔覆同步输送的混合粉末，在钛合金零件表面制备出涂层，最后进行退火处理。该涂层在激光熔覆时由固溶较多Cr的亚稳β‑Ti和一定量的原位析出TiC组成，保证了激光熔覆过程涂层具有高的韧性，不发生开裂，随后的退火处理消除了涂层应力，并析出较多量的TiCr2 Laves相，提高了涂层的硬度及抗压性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105562660B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510926650.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22D19/00 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制造领域的一种IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板一体化制备方法。所述制备方法为：先加工一面带多个齿形孔的长方体模具和S形水冷管，将S形水冷管埋入碳化硅颗粒中压制成矩形板状坯体后，对其脱脂得到预制件；然后将预制件置于带多个齿形孔的长方体模具上表面后，将其放入压力溶渗模具中，并将铝合金溶液注入压力溶渗模具中，待其浸没预制件时，将压力溶渗模具加压至8MPa‑20MPa，当其温度降至500℃以下时撤掉压力即可。由该制备方法获得的产品为一体化的IGBT用带S形水冷管的齿状水冷板，工艺简单易于控制，制得产品能够为IGBT提供最佳的冷却效果，适于高功率密度IGBT产品使用。
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公开(公告)号：CN105506355A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510994306.8
申请日：2015-12-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种金刚石/铜梯度复合材料及其制备方法。首先粗颗粒金刚石和细颗粒金刚石分别与粘结剂混合；在金属模具中依次平铺一定厚度的细颗粒金刚石-粗颗粒金刚石-细颗粒金刚石，采用冷压工艺压制，脱模，烘干后制得梯度金刚石预制件；然后将熔融的铜或铜合金浸渗入预制件中，冷却、脱模后制得金刚石/铜梯度复合材料。本发明既可以保留粗颗粒金刚石制备复合材料的高导热性能，也可以降低由于制品与芯片接触表面粗糙度过高导致的热阻，充分发挥材料的优异性能，且工艺过程简单，所制备的金刚石/铜梯度复合材料可广泛应用于半导体激光器、微波功率电子等电子封装器件。
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公开(公告)号：CN105390474A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510903214.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L21/4871 , H01L23/49866
Abstract: 本发明属于电子封装技术领域，特别涉及一种高导热低膨胀导电图形板及其制备方法。其是以高导热低膨胀复合材料作为基材，采用焊接、胶接、化学气相沉积、磁控溅射或物理气相沉积等物理或化学的方法在基材的单面或双面制备高导热绝缘介质层，最后采用化学气相沉积技术、磁控溅射技术、物理气相沉积技术或刻蚀法在绝缘介质层上沉积导体电路图层，从而得到层状高导热低膨胀导电图形板，该导电图形板除具有高导热、低热膨胀系数、高强度、良好的尺寸稳定性能外，还具有高击穿强度、高介电常数等性质，并且在基板上直接形成导体电路图形，简化了导体电路图层的制备工艺。
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公开(公告)号：CN104746058A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310741266.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于金属基复合材料领域的一种包覆钨钼纳米膜层的金刚石及其制备方法，包括：1）取不同形状和尺度的金刚石，对其表面进行粗化处理；2）配制氧化钼与氧化钨的复合溶胶，可选择性的向复合溶胶中添加稳定剂；3）将金刚石放入复合溶胶中进行表面浸胶并干燥；4）进行氢热还原反应，形成金刚石基体/钨钼碳化物界面/钨钼合金的结构，包覆层厚度控制在纳米级。本方法工艺方法简单，氧化钼与氧化钨复合溶胶较单一氧化钨溶胶具有更好的稳定性和成膜性能，解决了高温氢热处理过程中溶胶膜易开裂的问题，产品表面包覆的膜层更均匀、膜层厚度更小，且可以降低复合材料界面热阻获得更高热导率，适于工业化制备金刚石增强金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN104726735A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310718961.1
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C22C1/10
Abstract: 本发明涉及一种具有复合式结构的高定向导热材料及其制备方法，属于热管理材料制备技术领域。该材料由封装材料和密封在封装材料中的高导热碳材料组成，高导热碳材料上镀覆金属层，封装材料与高导热碳材料之间由金属层连接，金属层与封装材料之间为冶金结合。将封装材料加工凹槽，放置镀覆有金属层的高导热材料，加工封装材料盖板，然后三者通过热压成一个具有复合式结构的高定向导热材料。本发明在现有的封装材料中密封高导热材料，并通过对高导热材料镀覆金属层，来改善高导热材料与封装材料界面结合问题。该类材料可以广泛应用在需要局部高效散热的于微电子封装、激光二极管、IGBT和半导体、散热片和盖板。
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