一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统

    公开(公告)号:CN119827878A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510046981.1

    申请日:2025-01-13

    Abstract: 本公开涉及电磁兼容测试与评估技术领域,具体涉及一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统。所述方法包括:将变压器的第一电磁场模型转换为等效电路模型,并获取仿真寄生电参数;比对测量寄生电参数和仿真寄生电参数来调整等效电路模型;将调整好的等效电路模型的共模电流作为激励信号输入PCB评估板的第二电磁场模型,获得集成隔离芯片的电磁辐射强度仿真结果,其中,共模电流被确定为集成隔离芯片的主要辐射源;比对电磁辐射强度仿真结果和电磁辐射强度测量结果来调整第二电磁场模型,获得集成隔离芯片的电磁辐射强度预测模型。本公开能准确预测隔离芯片的辐射强度,减少了多轮打样和测试的必要性,提高了芯片设计时的可靠性和稳定性。

    用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统

    公开(公告)号:CN117033280B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202310760957.5

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本发明实施例提供一种用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统,属于热插拔技术领域。该电路热插拔保护电路包括控制电路、上拉电路和切断电路,控制电路的两个输入端分别接入I2C总线和次板电源VDD,输出端连接上拉电路的第一输入端,切断电路的输入端连接VDD,输出端连接上拉电路的第二输入端,上拉电路的输出端接入I2C总线。所述控制电路被配置为在VDD先插入的情况下,在设定时间导通上拉电路,以通过上拉电路来拉高悬空的I2C总线。所述切断电路被配置为在I2C总线先插入的情况下,切断VDD与I2C总线之间的电流流入通路。本发明实施例解决了由于插入顺序和上电顺序导致的不良热插拔的缺陷,减少了软硬件负担。

    一种发射电路、数字隔离器及芯片

    公开(公告)号:CN118449513B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410704148.7

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本公开涉及芯片技术领域,具体涉及公开了一种发射电路、数字隔离器及芯片,该发射电路包括:唤醒电路,该唤醒电路的第一输入端连接稳压器的输出端,唤醒电路的第二输入端接入发射电路的输入信号;唤醒电路的电路输出端连接高频振荡器,电平移位电路和调制器,用于在检测到发射电路的输入信号为高电平时,生成窄脉冲信号,将窄脉冲信号与稳压器输出的稳压信号叠加生成叠加信号,并用叠加信号为高频振荡器,电平移位电路和调制器供电,使得进入调制器的待调制信号仅在由低电平变高电平的极短时间内增大,随后恢复为正常的高电平信号。该技术方案既维持了发射电路整体的功耗相对较低,又提升了发射电路的响应速度,减小信号传输延时。

    总线低边驱动器及驱动芯片
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118890039A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411024701.9

    申请日:2024-07-29

    Abstract: 本发明实施例提供一种总线低边驱动器及驱动芯片,属于芯片技术领域。所述总线低边驱动器包括:驱动桥,其基于若干晶体管构成,且检测跟随于总线共模电压的低边中点电压;以及比较电路,连接所述驱动桥,用于比较所述低边中点电压与地线信号的电压值,并在所述低边中点电压的电压值小于所述地线信号而产生低边反向过压时,触发所述驱动桥中的晶体管的通断配合以隔离所述低边中点电压和所述地线信号,其中所述地线信号的电压值为零。本发明实施例首先通过驱动桥检测跟随于总线共模电压的低边中点电压,再通过比较电路实现低边中点电压和电压值为零的地线信号的比较,进而确定产生低边反向过压,并将低边中点电压和地线信号隔离开,实现过压保护。

    线性稳压电路、工作方法及电子设备

    公开(公告)号:CN115469703B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202211326689.8

    申请日:2022-10-27

    Abstract: 本公开实施例公开了线性稳压电路、工作方法及电子设备。所述线性稳压电路包括:功率器件、误差放大器、反馈电阻网络、第一开关、第二开关、第三开关、第一电容和第二电容;所述误差放大器的第一输入端连接基准电压,误差放大器的第二输入端依次通过所述第一开关、第二开关与所述功率器件的栅极连接,误差放大器的输出端通过所述第二开关与所述功率器件的栅极连接;所述反馈电阻网络用于输出反馈电压至所述误差放大器的第二输入端;所述功率器件的源极与所述第三开关连接。上述技术方案通过在线性稳压电路上增设三个开关,利用三个开关的通断来调整线性稳压电路的输出电流,提高了线性稳压电路的响应速度。

    用于开关电源的脉冲频率调制控制电路及芯片

    公开(公告)号:CN117650685A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311353108.4

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本申请实施例提供一种用于开关电源的脉冲频率调制控制电路及芯片,涉及开关电源技术领域,电路包括:模式控制单元、模式切换单元、第一脉冲信号输出单元、第二脉冲信号输出单元及控制驱动单元;模式控制单元用于根据开关电源的输出电压及设定的参考电压生成对应的模式控制信号;模式切换单元用于在模式控制信号满足切换条件的情况下,产生对应的频率调制信号至第一脉冲信号输出单元;第一脉冲信号输出单元用于基于频率调制信号生成第一脉冲信号;第二脉冲信号输出单元用于生成第二脉冲信号;控制驱动单元用于依据第一脉冲信号及第二脉冲信号控制开关电源工作于轻负载模式。本申请结构简单,可实现脉冲频率调制模式下频率的连续变化。

    用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备

    公开(公告)号:CN116111990A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202211326699.1

    申请日:2022-10-27

    Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器,包括:偏置电流电路和共栅极比较电路;所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置;所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1,所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同;其中,所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss,所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压,由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流,因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响,具有较好的精度。

    RS-485总线高边驱动器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118503178A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410707737.0

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明实施例公开了一种RS‑485总线高边驱动器。该RS‑485总线高边驱动器包括反向过压检测模块、正向电流钳位模块、第一总线驱动模块、第二总线驱动模块、驱动桥电源以及开关模块;所述反向过压检测模块用于根据所述开关模块的压降,阻断所述第一总线或第二总线的电压输入所述驱动桥电源;正向电流钳位模块用于根据所述开关模块的压降,限制所述驱动桥电源分别流向所述第一总线或第二总线的正向电流大小;所述第一总线驱动模块用于控制所述驱动桥电源与所述第一总线之间的导通状态,所述第二总线驱动模块用于控制所述驱动桥电源与所述第二总线之间的导通状态。本方案可以实现RS‑485总线高边的反向过压保护和正向电流防护。

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