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公开(公告)号：CN119310312A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411446949.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京邮电大学
Abstract: 本申请公开了一种同轴连接器及互调测试方法，属于通信电路领域。所述同轴连接器包括：连接器本体、壳体和盖体，所述连接器本体为中空结构；所述连接器本体穿设于所述壳体，所述壳体开设有与所述连接器本体连通的窥测孔，所述窥测孔用于供近场探头插入；所述盖体与所述窥测孔可拆卸连接，所述盖体、所述连接器本体及所述壳体共同限定出屏蔽腔。本申请可实现采用近场辐射测试方法对同轴连接器进行互调测试，快速且精确地定位同轴连接器中互调较为突出的区域，无需将同轴连接器拆卸下来进行互调测试，且无需对移动通信系统的通信链路关机并停止服务，降低维护难度，降低维护时的影响范围。
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公开(公告)号：CN119827878A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510046981.1
申请日：2025-01-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京邮电大学
Abstract: 本公开涉及电磁兼容测试与评估技术领域，具体涉及一种集成隔离芯片的电磁辐射强度预测方法和系统。所述方法包括：将变压器的第一电磁场模型转换为等效电路模型，并获取仿真寄生电参数；比对测量寄生电参数和仿真寄生电参数来调整等效电路模型；将调整好的等效电路模型的共模电流作为激励信号输入PCB评估板的第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度仿真结果，其中，共模电流被确定为集成隔离芯片的主要辐射源；比对电磁辐射强度仿真结果和电磁辐射强度测量结果来调整第二电磁场模型，获得集成隔离芯片的电磁辐射强度预测模型。本公开能准确预测隔离芯片的辐射强度，减少了多轮打样和测试的必要性，提高了芯片设计时的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116111990B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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公开(公告)号：CN115469703A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211326689.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开实施例公开了线性稳压电路、工作方法及电子设备。所述线性稳压电路包括：功率器件、误差放大器、反馈电阻网络、第一开关、第二开关、第三开关、第一电容和第二电容；所述误差放大器的第一输入端连接基准电压，误差放大器的第二输入端依次通过所述第一开关、第二开关与所述功率器件的栅极连接，误差放大器的输出端通过所述第二开关与所述功率器件的栅极连接；所述反馈电阻网络用于输出反馈电压至所述误差放大器的第二输入端；所述功率器件的源极与所述第三开关连接。上述技术方案通过在线性稳压电路上增设三个开关，利用三个开关的通断来调整线性稳压电路的输出电流，提高了线性稳压电路的响应速度。
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公开(公告)号：CN116111849A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326706.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4；负载侧全桥电路，所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8；高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端；其中，Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接，Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案，大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗，降低了实现成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN117879317A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410069696.7
申请日：2024-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开一种集成隔离电源电路及芯片。该集成隔离电源电路包括功率驱动模块，功率驱动模块用于生成驱动信号；功率传输模块分别与功率驱动模块以及电源连接，功率传输模块用于根据驱动信号导通，以传输电源信号，并输出第一电信号；反馈模块，与功率传输模块连接，反馈模块用于对第一电信号进行处理，输出反馈控制信号；反馈控制模块，与反馈模块连接，反馈控制模块用于将反馈控制信号调制解调为复位信号；复位信号用于控制监控模块复位，或，用于控制功率驱动模块的启停。本实施例提供的技术方案解决了集成隔离电源芯片存在当系统输出侧意外掉电时，电路将保持掉电状态无法工作的问题。
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公开(公告)号：CN115603587B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN115603586A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司(CN) , 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN115603586B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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