-
公开(公告)号:CN115603586B
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202211326687.9
申请日:2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置,所述双有源桥变换电路包括:输入侧全桥电路,输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6;负载侧全桥电路,负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10;高频变压器,高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端,高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案,可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路,从而避免产生自激振荡,减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
-
公开(公告)号:CN117614048A
公开(公告)日:2024-02-27
申请号:CN202311307341.9
申请日:2023-10-10
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电池保护板充电限流电路及充电限流方法,属于通信基站储备电应用技术领域。所述电路包括:功率变换单元,包括并联于充电器单元和电池单元之间的预设数量的BUCK电路;电流采样调理单元,用于实时采样每一BUCK电路的充电电流值传输至微控制单元;微控制单元,用于根据充电电流值和预设的充电限流设定值计算电流差值,基于电流差值和PI控制算法输出对应于每一BUCK电路的占空比调节信号传输至驱动单元;驱动单元,用于根据占空比调节信号驱动BUCK电路的MOS管,以控制BUCK电路的充电电流值处于预设电流范围。本发明适用于高容量电池组、高充电功率的使用场景,能够满足大容量电池单元的充电限流需求。
-
公开(公告)号:CN115603586A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202211326687.9
申请日:2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司(CN) , 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置,所述双有源桥变换电路包括:输入侧全桥电路,输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6;负载侧全桥电路,负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10;高频变压器,高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端,高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案,可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路,从而避免产生自激振荡,减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
-
公开(公告)号:CN116111849A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211326706.8
申请日:2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置,所述双有源桥变换电路包括:输入侧全桥电路,所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4;负载侧全桥电路,所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8;高频变压器,所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端,所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端;其中,Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接,Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案,大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗,降低了实现成本。
-
公开(公告)号:CN116111990B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202211326699.1
申请日:2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器,包括:偏置电流电路和共栅极比较电路;所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置;所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1,所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同;其中,所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss,所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压,由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流,因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响,具有较好的精度。
-
公开(公告)号:CN117318444A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311262450.3
申请日:2023-09-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电源适配器及其低功耗控制电路、低功耗控制方法,其中,电源适配器的初级侧设置有PFC电路,低功耗控制电路包括:采样单元,采样单元设置在电源适配器的次级侧,采样单元被配置为对电源适配器输出的电信号进行采样,得到采样信号;处理单元,处理单元被配置为根据采样信号确定电源适配器的输出电压和输出电流,并根据输出电压和输出电流确定电源适配器的输出功率,以及在输出功率小于预设功率阈值的情况下,生成关闭控制信号,其中,关闭控制信号用于控制PFC电路关闭。该电路可以精确地在输出功率小于预设功率阈值时控制PFC电路关闭,减小了待机功耗,从而提升了电源适配器的效率。
-
公开(公告)号:CN118330305A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410304533.2
申请日:2024-03-18
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R19/175 , G01R1/30 , G01R15/14 , G01R15/16 , G01R15/18
Abstract: 本发明提供一种过零检测电路和一种芯片,属于电子技术领域,过零检测电路包括:第一比较器,用于将输入的交流电信号与第一预设电压进行比较,得到脉冲信号;信号耦合器件,用于将输入的所述脉冲信号的电压变化耦合到输出端;过零脉冲检测器件,用于检测出所述信号耦合器件的输出端输出的过零脉冲。本发明通过信号耦合器件将输入的脉冲信号的电压变化耦合到输出端,以便过零脉冲检测器件检测出所述信号耦合器件的输出端输出的过零脉冲。本发明实施例通过信号耦合器件实现了输出信号和交流电信号的隔离,并且本发明实施例不使用光耦进行隔离,不会因为光耦的光衰问题导致隔离功能失效。
-
公开(公告)号:CN116111990A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211326699.1
申请日:2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器,包括:偏置电流电路和共栅极比较电路;所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置;所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1,所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同;其中,所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss,所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压,由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流,因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响,具有较好的精度。
-
公开(公告)号:CN119375804A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411358487.0
申请日:2024-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R35/00 , G01R31/385
Abstract: 本发明提供一种电池检测电路的增益误差的校准方法、装置和电子设备,属于电池技术领域。校准方法包括:获取电池检测电路输入的最高电压值;基于最高电压值确定最高电压值所属的电压分段范围,以及基于电压分段范围确定最高电压值的分段系数;基于分段系数、增益共模误差值、可接入的电池总数量、当前接入的电池数量,确定增益误差修正比例;其中,增益共模误差值表征电池检测电路的增益随着共模电压变化的误差;基于电池检测电路的电压测量值、电池检测电路的失调电压以及增益误差修正比例,确定电池检测电路经过增益误差校准的校准测量值。本发明用于解决现有方案在电池电压校准时无法兼顾低成本和高精度的缺陷。
-
公开(公告)号:CN118760334A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410975145.7
申请日:2024-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种带隙基准电压源电路和芯片,属于电路技术领域。电路包括:正温度系数电压产生电路,用于产生正温度系数电压;一阶带隙基准电压产生电路,与所述正温度系数电压产生电路电连接,用于产生负温度系数电压,以及基于所述正温度系数电压和负温度系数电压之和输出带隙基准电压;非线性项削减电路,用于产生偏置电流输入至所述一阶带隙基准电压产生电路,以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数。本发明通过增加一个非线性项削减电路来产生偏置电流输入至一阶带隙基准电压产生电路,以削减所述负温度系数电压中非线性项的系数,实现对带隙基准电压源电路进行非线性项补偿,本发明实施例结构简单,电路实现成本较低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-