-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110860817A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910934531.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟-银-铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag-In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag-In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn2，随着工艺焊接时间的延长，Ag-In内部互扩散反应加剧，In4Ag9和Ag3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。
-
公开(公告)号：CN119965173A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411962293.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及了一种低应力高散热氧化镓器件封装结构与方法，旨在解决正置芯片的引线键合封装形式严重制约器件性能问题，本发明包括基板、氧化镓器件和阶梯型金属板，基板的表面设置有金属层，基板的中间区域分布有内焊接区，基板外侧区域分布有外焊接区，氧化镓器件的正面分布有第一电极区，氧化镓器件的背面分布有第二电极区，阶梯型金属板的头部分布有第一焊接区，阶梯型金属板的尾部分布有第二焊接区，第一电极区朝向内焊接区设置，第一焊接区朝向第二电极区设置，第二焊接区朝向外焊接区设置，通过利用阶梯型金属板替代传统的引线键合方式，降低了键合过程中机械应力对器件的损伤，保障了器件的性能与可靠性。
-
公开(公告)号：CN106670735B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610796720.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度焊片切割方法，相比于传统方法，得到的焊片尺寸精度高，解决了航天宇航级高可靠性器件共晶装片由于焊片尺寸精度太低造成的失效问题。利用本发明的切割方法在三个小时内即可完成满足工艺要求的焊片切割，有效的缩短了生产周期，且切割方法简单实用、易于实现，可操作性强。
-
公开(公告)号：CN106670735A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610796720.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: B23P15/00
CPC classification number: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度焊片切割方法，相比于传统方法，得到的焊片尺寸精度高，解决了航天宇航级高可靠性器件共晶装片由于焊片尺寸精度太低造成的失效问题。利用本发明的切割方法在三个小时内即可完成满足工艺要求的焊片切割，有效的缩短了生产周期，且切割方法简单实用、易于实现，可操作性强。
-
公开(公告)号：CN215342570U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120920054.5
申请日：2021-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/488
Abstract: 一种防震动的TO金属外壳键合指结构，包括金属壳体、键合指端头、陶瓷绝缘子、外引线，其中键合指端头下设有与键合指端头尺寸配合的氧化铝陶瓷绝缘块，绝缘块通过银铜焊料与键合指端头底部平面及金属外壳底部壳体进行焊接。使得该TO金属外壳在粗铝丝键合过程中避免因键合机压力及超声频率产生震动，增强键合指的强度及稳定性，确保键合指表面平面度，提升键合可靠性。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.055 seconds)
