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公开(公告)号：CN114420659A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111581814.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二极管封装用金属焊接层及其制备方法，属于半导体封装技术领域。本发明采用真空磁控溅射技术在二极管内电极表面进行金属焊接层制备，金属焊接层为三层结构，包含粘附层Ti层、阻挡层Ni层和焊接功能层Ag层，结合强度高、致密度好。该金属焊接层可直接与芯片在高温状态下形成有效焊接，实现二极管热阻小、损耗低的封装，解决了高等级二极管封接中的技术难题。
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公开(公告)号：CN118486662A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410665642.7
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于电子元器件封装领域，具体涉及了一种可实现双面垂直冷却的MOS管封装结构，旨在解决当前技术难以实现MOS管大量产热的有效导出的问题。本发明包括：陶瓷外壳、盖板、源极引出端、栅极引出端、漏极引出端和MOS芯片；陶瓷外壳与盖板之间密封连接；MOS芯片设置在陶瓷外壳的内部，MOS芯片的正面与陶瓷外壳连接；MOS芯片的背面与盖板连接；MOS芯片的源极、栅极分别通过不同的键合指引出至源极引出端和栅极引出端，MOS芯片的漏极通过盖板引出至漏极引出端。本发明改进了传统的引线键合封装结构，能够做到双面散热，实现MOS管大量产热的有效导出。
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公开(公告)号：CN117790332A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311808917.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L21/50 , B23K31/02 , H01L21/60 , B23K101/40
Abstract: 本发明涉及一种气密性系统级封装元件表贴方法及封装元件，涉及半导体封装技术领域。包括：对外壳进行清洗，使得外壳表面的焊盘洁净；将焊料放置于所述焊盘表面，将待封装元件贴放结构放置于焊料上方，得到装配好的产品；焊料为无助焊剂固态焊料；将装配好的产品放入共晶烧结设备中，按照共晶焊接工艺曲线，在氮气或真空气氛下进行共晶焊接，得到封装元件。采用固态无助焊剂焊料，在真空或氮气气氛下通过共晶焊接工艺实现元件表贴，避免了常规回流焊接工艺因清洗残留助焊剂或免清洗焊料的助焊剂残留而引入的水汽超标问题，降低了系统级封装产品内部元件因化学腐蚀及电化学腐蚀导致的电性能失效风险，从而实现系统级封装产品气密性封装。
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公开(公告)号：CN107553038A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710908663.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于双插头二极管引线焊接的工装及焊接方法，属于半导体分立器件封装技术领域。利用高精度模具与焊片-引线一体化结构配合，通过熔焊实现二极管玻璃封装体与外引线高精度、高可靠连接。本方法通过双插头同轴器件外引线与焊片的预先连接，并结合高精度模具精确定位引线与玻璃封装体，成功降低了由于各工件尺寸小导致装模难度及焊片偏移，解决了内外引线熔焊连接后焊缝、偏移以及质量一致性差等问题。这种引线焊接工艺技术方法的应用，既降低了装模过程对器件成品率的影响，同时提高了装模的效率，大大降低了二极管封装失效率，节省了贵金属焊片等原材料的耗量，降低了成本。
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公开(公告)号：CN119252799A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411125154.3
申请日：2024-08-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于分立器件封帽的技术领域，具体涉及了一种超小尺寸分立器件外壳的封帽装置及封帽方法，旨在解决固定钢夹的过程中由于人工操作导致的钢夹轻微振动可能造成盖板偏移及盖板表面划伤的问题。本发明包括底座、配重支撑板以及配重杆；底座与配重支撑板连接在一起；底座上开设有多个均匀布置的外壳定位槽，在外壳定位槽的槽底开设有盖板定位槽；配重支撑板布置在底座上侧，配重支撑上开设有多个均匀布置且为通孔的布置孔；每个安装孔中可以安装一个配重杆；配重杆在安装时，下端插入布置孔中；底座上外壳定位槽的中心、配重支撑板上布置孔的中心、压板上安装孔的中心对齐。本发明能够避免在外壳、盖板固定过程中的产生的偏移、划伤问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420619A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011192070.3
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明为立体集成阵列式整流二极管模组封装结构及方法，其主要选用高可靠陶瓷外壳及金属盖板为封装材料，首先在外壳基座内部通过芯片定位装置进行焊片及芯片高精度安装，通过焊接实现芯片与外壳基座焊接，再通过硅铝丝实现芯片与外壳互连连接，最后通过平行缝焊实现金属盖板与外壳密封封装。本发明方法的应用，实现了立体阵列式整流二极管封装，大大提高整流二极管应用范围，纳米银膏和平行缝焊多温度梯度焊接方式可以起到优良的散热以及高可靠气密性封装，拓宽了器件应用场景。
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公开(公告)号：CN112002765A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010880815.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 一种面向立体集成阵列封装的硅整流二极管芯片，芯片为台面结构，芯片钝化为PSG和SiO2复合结构，正、反面金属电极为同一材质。本发明的硅整流二极管芯片体积小、重量轻；采用PSG和SiO2复合钝化结构，芯片反向耐压高、反向漏电小，尤其是反向阻断高温特性好；正反面金属材料采用同一材质，使得芯片与外壳、芯片与芯片之间立体焊接一次完成，有利于提高芯片立体集成封装的效率和可靠性。采用本发明的硅整流二极管芯片，通过双芯片叠层立体焊接，可在7mm×10mm×2.5mm空间内集成16个芯片，实现的600V 8路立体集成整流阵列器件，能够通过150℃、1000h高温反偏和-65℃～175℃、500次温度循环的可靠性考核。
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公开(公告)号：CN110860817A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910934531.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟-银-铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag-In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag-In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn2，随着工艺焊接时间的延长，Ag-In内部互扩散反应加剧，In4Ag9和Ag3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In4Ag9和Ag3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。
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公开(公告)号：CN119943761A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411926560.X
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及了一种大功耗器件高可靠封装引出结构，旨在解决封装结构无法满足大功耗器件高性能的发展需求的问题，本发明包括陶瓷外壳、芯片、陶瓷盖板、柱栅互连结构、源极引脚、栅极引脚、漏极引脚、芯片漏极焊料、盖板密封焊料，陶瓷外壳内部开有适配芯片的悬腔，陶瓷外壳与陶瓷盖板之间通过盖板密封焊料实现密封焊接，芯片正面源极及栅极区域通过柱栅互连结构与陶瓷外壳焊接；芯片背面引出至漏极引脚，芯片正面源极和栅极分别通过柱栅互连结构和陶瓷外壳引出至源极引脚和栅极引脚，能极大提高整个芯片封装的集成度，有效解决引线键合类的芯片封装高性能、高可靠、小型化等问题，满足大功耗器件高性能的发展需求。
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公开(公告)号：CN113035725B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110215120.3
申请日：2021-02-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种深腔键合方法，属于微电子封装技术领域；步骤一、制作键合工具；步骤二、制作固定夹具；步骤三、对待键合器件表面进行等离子清洗；步骤四、将待键合器件水平放在器件固定板上，进行抽真空处理，实现对待键合器件的固定；步骤五、设置键合压力、键合功率和键合时间，进行键合；本发明同时开发了针对深腔键合工具适用的键合方法，解决了深腔功率器件键合可靠性问题，适用于深腔键合应用场景，大大拓宽了深腔功率器件封装能力。
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